| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·二硫化钼的晶体结构与性质 | 第12-16页 |
| ·二硫化钼的基本晶体结构 | 第12-13页 |
| ·二硫化钼的性质 | 第13-16页 |
| ·二维MoS_2的制备 | 第16-19页 |
| ·微机械剥离法 | 第17页 |
| ·锂插入化学剥离法 | 第17-18页 |
| ·液相剥离法 | 第18-19页 |
| ·化学合成法 | 第19页 |
| ·二维MoS_2的表征 | 第19-20页 |
| ·二维MoS_2的应用 | 第20-24页 |
| ·电子器件应用 | 第20-21页 |
| ·光电器件 | 第21-22页 |
| ·传感器 | 第22-23页 |
| ·锂电池、超电容 | 第23页 |
| ·电催化剂 | 第23-24页 |
| ·选题依据、研究意义和主要内容 | 第24-26页 |
| ·本文的选题依据和研究意义 | 第24-25页 |
| ·本文主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 半导体光催化原理 | 第26-38页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·半导体能级结构和光催化原理 | 第26-32页 |
| ·半导体能带结构 | 第26-27页 |
| ·半导体光催化原理 | 第27-32页 |
| ·提高光催化性能的方法 | 第32-33页 |
| ·基于Cu_2O的复合半导体光催化研究现状 | 第33-34页 |
| ·基于MoS_2的复合半导体光催化研究现状 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 复合半导体MoS_2/Cu_2O的制备 | 第38-50页 |
| ·前言 | 第38-40页 |
| ·试剂与仪器 | 第40-42页 |
| ·主要实验试剂 | 第40-41页 |
| ·主要实验仪器 | 第41页 |
| ·样品表征 | 第41-42页 |
| ·试验方法及过程 | 第42-43页 |
| ·MoS_2纳米片的制备 | 第42页 |
| ·Cu_2O的制备 | 第42页 |
| ·物理合成MoS_2/Cu_2O复合半导体 | 第42页 |
| ·化学合成MoS_2/Cu_2O复合半导体 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-48页 |
| ·液相剥离的MoS_2 | 第43-45页 |
| ·水热合成的Cu_2O | 第45页 |
| ·物理方法合成的MoS_2/Cu_2O | 第45-46页 |
| ·化学合成不同MoS_2厚度的MoS_2/Cu_2O | 第46-47页 |
| ·化学合成不同MoS_2质量分数的MoS_2/Cu_2O | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 MoS_2/Cu_2O复合半导体的光催化性能研究 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-60页 |
| ·MoS_2、Cu_2O、MoS_2/Cu_2O的光催化活性对比 | 第51-52页 |
| ·MoS_2/Cu_2O的合成方法对光催化的影响 | 第52-54页 |
| ·MoS_2厚度对MoS_2/Cu_2O的光催化的影响 | 第54-57页 |
| ·MoS_2质量分数对MoS_2/Cu_2O的光催化影响 | 第57-60页 |
| ·MoS_2/Cu_2O和Cu_2O的光催化循环稳定性的对比 | 第60-61页 |
| ·光催化还原重金属离子 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-68页 |
| ·全文总结 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及获得的成果 | 第76页 |
