| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| ·概述 | 第13-20页 |
| ·有机电子学的发展 | 第13页 |
| ·有机半导体薄膜器件的发展 | 第13-20页 |
| ·OLED中有机、无机半导体材料的研究现状 | 第20-29页 |
| ·OSC材料分类 | 第20-23页 |
| ·金属酞菁分子在OLED中的使用 | 第23-25页 |
| ·过渡金属氧化物在OLED中的使用 | 第25-26页 |
| ·金属酞菁分子的取向性研究 | 第26-29页 |
| ·过渡金属氧化物/有机半导体界面研究的意义 | 第29页 |
| ·本论文的研究内容和结构安排 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-39页 |
| 第二章 基本理论与实验方法 | 第39-57页 |
| ·同步辐射简介 | 第39-40页 |
| ·同步辐射光电子能谱(SRPES) | 第40-46页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)的产生与发展 | 第40-41页 |
| ·SRPES的基本原理 | 第41-43页 |
| ·SRPES测定样品表面功函数 | 第43-45页 |
| ·SRPES测量有机薄膜厚度 | 第45页 |
| ·SRPES测量过程中的荷电校正 | 第45-46页 |
| ·近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS) | 第46-49页 |
| ·NEXAFS基本原理 | 第46-47页 |
| ·NEXAFS数据的归一化处理 | 第47页 |
| ·NEXAFS研究有机分子取向 | 第47-49页 |
| ·Raman光谱 | 第49-50页 |
| ·Raman散射 | 第49页 |
| ·Raman光谱判断有机分子取向 | 第49-50页 |
| ·实验设备介绍 | 第50-54页 |
| ·NSRL表面物理实验站 | 第50-51页 |
| ·BSRF光电子能谱实验站 | 第51-52页 |
| ·NSRRC光电子能谱实验站 | 第52-53页 |
| ·CAS稳态强磁场实验装置 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第三章 FePc/MoO_3/ITO界面电子结构及能级排列 | 第57-73页 |
| ·前言 | 第57页 |
| ·实验细节 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-67页 |
| ·源材料及所成薄膜的性状表征 | 第58-60页 |
| ·MoO_3功函数的测量 | 第60-62页 |
| ·FePc在3nm MoO_3上的生长 | 第62-63页 |
| ·FePc在3nm MoO_x上的生长 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 第四章 FePC/MoO_x(x<3)界面相互作用 | 第73-97页 |
| ·前言 | 第73-74页 |
| ·实验细节 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-91页 |
| ·MoO_3薄膜的热还原研究 | 第75-78页 |
| ·MoO_x的稳定性研究 | 第78-79页 |
| ·薄膜形貌及分子取向研究 | 第79-81页 |
| ·FePc/MoO_x界面电子结构及相互作用分析 | 第81-90页 |
| ·FePc/MoO_3(x≤3)样品I-V曲线 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 第五章 强磁场下的FePc分子取向生长研究 | 第97-111页 |
| ·前言 | 第97-98页 |
| ·实验细节 | 第98页 |
| ·结果与讨论 | 第98-106页 |
| ·MPc的磁性 | 第98-99页 |
| ·FePc的磁性测试 | 第99-100页 |
| ·FePc于磁场中在Si<111>表面的生长 | 第100-104页 |
| ·FePc于磁场中在Cu衬底表面的生长 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-111页 |
| 第六章 总结与展望 | 第111-115页 |
| ·全文总结 | 第111-112页 |
| ·展望 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第117-118页 |