| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·非易失性存储器概述 | 第13-18页 |
| ·铁电存储器(Ferroelectric RAM,FRAM) | 第15-16页 |
| ·磁阻性存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM) | 第16页 |
| ·相变存储器(Phase Change RAM,PCRAM) | 第16-17页 |
| ·阻变式随机存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM) | 第17-18页 |
| ·电荷俘获型存储器(Charge Trapping Memory,CTM) | 第18页 |
| ·CTM研究背景与意义 | 第18-19页 |
| ·本文主要研究内容及布局 | 第19-22页 |
| 参考文献 | 第22-29页 |
| 第二章 CTM发展、原理及研究方法概述 | 第29-46页 |
| ·CTM发展历史 | 第29-30页 |
| ·CTM存储原理 | 第30-34页 |
| ·CTM存储器研究概述 | 第34-36页 |
| ·基于第一性原理的研究方法概述 | 第36-41页 |
| ·密度泛函理论(Densty Functional Theory,DFT) | 第37-39页 |
| ·布里渊区k点采样 | 第39页 |
| ·第一性原理计算概述 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 第三章 高k俘获层HfO_2中氧空位特性研究 | 第46-68页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·氧空位对高k俘获层HfO_2的影响 | 第46-56页 |
| ·计算方法和模型 | 第47-48页 |
| ·结果分析与讨论 | 第48-55页 |
| ·结语 | 第55-56页 |
| ·氧空位引起的晶格变化产生的影响 | 第56-64页 |
| ·计算模型和方法 | 第56-57页 |
| ·运算结果及讨论 | 第57-63页 |
| ·结语 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 高k俘获层HfO_2中间隙氧特性研究 | 第68-84页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·计算方法及模型 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-79页 |
| ·间隙O缺陷能级和DOS | 第72-75页 |
| ·缺陷俘获电荷能 | 第75-78页 |
| ·间隙O原子间距的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第五章 杂质Al对HfO_2中氧空位特性影响 | 第84-93页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·Al替位Hf的含氧空位缺陷HfO_2模型建立及计算方法 | 第85-87页 |
| ·HfO_2中Al对4价配位氧空位缺陷的影响 | 第87-90页 |
| ·替位Al对4价配位氧空位形成能影响 | 第87-88页 |
| ·替位Al对4价氧空位电荷俘获能影响 | 第88-89页 |
| ·替位Al对含4价氧空位缺陷HfO_2的态密度影响 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
| ·论文研究主要内容及创新点 | 第93-94页 |
| ·未来工作展望 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第9页 |
