| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·纳米材料简介 | 第12-15页 |
| ·纳米材料的表征方法 | 第15-17页 |
| ·纳米材料的分类 | 第17-18页 |
| ·半导体纳米材料 | 第18页 |
| ·半导体纳米材料的特性 | 第18-20页 |
| ·半导体纳米材料的制备方法 | 第20-21页 |
| ·纳米半导体的应用 | 第21-24页 |
| ·论文工作设想 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-34页 |
| 第二章 Cu_2Ge(S_(3-x),Se_x)纳米晶组分调控、表征和性能研究 | 第34-56页 |
| ·前言 | 第34-35页 |
| ·实验部分 | 第35-38页 |
| ·实验原料 | 第35页 |
| ·Cu_2GeS_3纳米晶的合成 | 第35-36页 |
| ·Cu_2Ge(S_(3-x),Se_x)合金纳米晶的合成 | 第36页 |
| ·仪器表征 | 第36页 |
| ·循环伏安测试 | 第36-37页 |
| ·光电化学测试 | 第37页 |
| ·器件制备与表征 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 第三章 Cd_3P_2纳米线的合成表征和性能研究 | 第56-72页 |
| ·前言 | 第56-57页 |
| ·实验部分 | 第57-59页 |
| ·实验原料 | 第57-58页 |
| ·磷化镉纳米线的合成 | 第58页 |
| ·仪器表征 | 第58-59页 |
| ·光电化学测试 | 第59页 |
| ·器件制备和表征 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第四章 CdTe/TOPO核壳纳米线的合成、表征和性能 | 第72-88页 |
| ·前言 | 第72-73页 |
| ·实验部分 | 第73-75页 |
| ·实验原料 | 第73页 |
| ·碲化镉/三辛基氧膦核壳纳米线的合成 | 第73-74页 |
| ·仪器表征 | 第74页 |
| ·电学测试 | 第74-75页 |
| ·结果和讨论 | 第75-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第五章 Sb_2Se_3-Sb异质结结构的合成与表征 | 第88-102页 |
| ·前言 | 第88-89页 |
| ·实验部分 | 第89-90页 |
| ·实验原料 | 第89页 |
| ·Sb_2Se_3-Sb异质结结构的合成 | 第89-90页 |
| ·仪器表征 | 第90页 |
| ·光电化学测试 | 第90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-97页 |
| ·小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 第六章 结论和展望 | 第102-104页 |
| ·本论文总结 | 第102-103页 |
| ·展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第105页 |
