碲镉汞表面处理工艺研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1. 引言 | 第11-17页 |
| ·碲镉汞材料简介 | 第11-12页 |
| ·碲镉汞光导探测器的工作原理 | 第12-13页 |
| ·抛光技术的发展 | 第13-15页 |
| ·清洗技术的发展 | 第15-16页 |
| ·研究内容与实验安排 | 第16-17页 |
| 2. 碲镉汞抛光技术研究 | 第17-31页 |
| ·碲镉汞响应电压与厚度的关系 | 第17-18页 |
| ·碲镉汞器件最佳厚度分析 | 第17-18页 |
| ·碲镉汞厚度控制与化学机械抛光 | 第18-26页 |
| ·化学机械抛光机理 | 第19-21页 |
| ·化学机械抛光条件对碲镉汞平整度的影响 | 第21-26页 |
| ·碲镉汞平整度实验结果 | 第21-23页 |
| ·碲镉汞不平整的机理分析 | 第23-26页 |
| ·碲镉汞表面状态与溴抛光 | 第26-29页 |
| ·碲镉汞表面发黑问题分析 | 第26-28页 |
| ·碲镉汞表面麻点问题分析 | 第28-29页 |
| ·碲镉汞抛光速率与溴浓度的关系 | 第29页 |
| ·稳定的溴抛光工艺条件 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3. 碲镉汞清洗技术研究 | 第31-59页 |
| ·常规碲镉汞清洗技术简介 | 第31页 |
| ·新碲镉汞清洗技术 | 第31-35页 |
| ·超声和兆声清洗技术 | 第31-33页 |
| ·RCA清洗技术 | 第33-34页 |
| ·新碲镉汞清洗技术的清洗顺序 | 第34-35页 |
| ·新清洗和常规清洗的清洗效果表征和对比 | 第35-58页 |
| ·半导体表面沾污分类及表征方法 | 第35-36页 |
| ·常规清洗和新清洗的XPS表征和对比 | 第36-40页 |
| ·常规清洗和新清洗的电学特性表征和对比 | 第40-54页 |
| ·C-V曲线相关理论 | 第40-45页 |
| ·理想C-V特性 | 第41-44页 |
| ·非理想C-V特性 | 第44-45页 |
| ·MIS结构的制作 | 第45-49页 |
| ·样品的制备 | 第45-47页 |
| ·MIS工艺流程 | 第47-49页 |
| ·ZnS绝缘层MIS结构的表征和对比 | 第49-52页 |
| ·ZnS/阳极氧化层MIS结构的表征和对比 | 第52-53页 |
| ·慢表面态密度 | 第53-54页 |
| ·常规清洗和新清洗的器件性能表征和对比 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 4. 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第65页 |
