| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| ·同步辐射进展 | 第13-18页 |
| ·同步辐射光源发展历程 | 第13-14页 |
| ·同步辐射光源的特性 | 第14-16页 |
| ·上海同步辐射装置简介 | 第16-18页 |
| ·同步辐射分光技术概况 | 第18-20页 |
| ·同步辐射光束线站结构 | 第18-19页 |
| ·晶体分光原理 | 第19-20页 |
| ·国际同步辐射光源分光晶体加工现状 | 第20页 |
| ·SAXS Channel-cut 分光晶体需求 | 第20-24页 |
| ·SAXS Channel-cut 结构 | 第21-24页 |
| ·本课题的提出与主要研究内容 | 第24-27页 |
| ·本课题的提出 | 第24-25页 |
| ·文章主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 分光晶体衍射的基本原理 | 第27-39页 |
| ·单晶硅性能参数 | 第27-30页 |
| ·单晶硅的物理、化学性质 | 第27页 |
| ·单晶硅的晶体结构 | 第27-29页 |
| ·同步辐射常用晶体及其性能参数 | 第29-30页 |
| ·同步辐射常用单色器 | 第30-32页 |
| ·Laue 和 Bragg 型单色器 | 第30-31页 |
| ·Channel-cut 晶体单色器 | 第31-32页 |
| ·X 射线衍射 | 第32-37页 |
| ·运动学衍射理论 | 第32-33页 |
| ·动力学衍射理论 | 第33-36页 |
| ·Laue 和 Bragg 衍射 | 第33-34页 |
| ·晶体斜切原理 | 第34-35页 |
| ·多级衍射原理 | 第35-36页 |
| ·Channel-cut 能量分辨率计算 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 单晶硅分光晶体加工 | 第39-59页 |
| ·晶体切割成形 | 第39-53页 |
| ·硅单晶切割技术进展 | 第39-42页 |
| ·外圆切割 | 第39-40页 |
| ·内圆切割 | 第40-41页 |
| ·线切割 | 第41-42页 |
| ·单晶硅分光晶体线切割加工 | 第42-47页 |
| ·线切割机参数 | 第42-43页 |
| ·晶体定向 | 第43-45页 |
| ·晶体几何尺寸的控制 | 第45-46页 |
| ·切割方案设计 | 第46-47页 |
| ·晶体线切割加工参数 | 第47-53页 |
| ·金刚石颗粒尺寸对晶体表面粗糙度的作用 | 第48-49页 |
| ·金刚石线磨损时间对晶体表面粗糙度的作用 | 第49-50页 |
| ·切速比对晶体表面粗糙度的作用 | 第50-52页 |
| ·往复切割次数对晶体表面粗糙度的作用 | 第52-53页 |
| ·晶体研磨抛光技术 | 第53-58页 |
| ·研磨抛光技术的发展 | 第53-54页 |
| ·研磨抛光 | 第54-58页 |
| ·研磨抛光颗粒及磨抛盘、抛光垫的选取 | 第55-56页 |
| ·研磨料颗粒尺寸对晶体表面粗糙度的影响 | 第56-57页 |
| ·研磨压力对晶体表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 单晶硅 Channel-cut 分光晶体检测 | 第59-67页 |
| ·粗糙度检测 | 第59-60页 |
| ·面形检测 | 第60-61页 |
| ·摇摆曲线测量 | 第61-64页 |
| ·晶体斜切角测量 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 附录 A | 第79-81页 |
| 作者简历 | 第81页 |
| 发表的学术论文 | 第81页 |