当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
半导体中缺陷及电子特性的第一性原理研究
单个半导体纳米晶多激子相关性质的研究
UV-LED曝光系统及曝光工艺研究
Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究
40纳米NBTI建模及其可靠性设计研究
低维光电探测器与低温读出
盖革模式雪崩光电二极管阵列读出电路的研究与实现
基于机器学习算法的IGBT模块故障预测技术研究
有机卤化物CH3NH3PbX3材料光学性能研究
基于多种光源的准直测量比较研究
半导体表面导电分子线的生长机理与电磁性质研究
光学功能层在柔性封装OLED中的应用
单分子和双分子两种体系有机荧光器件的动态特性及优化
基于双层结构InGaZnO/InGaZnO:N薄膜晶体管及忆阻器件的研究
高性能有机场效应晶体管的研究
自旋记忆磁电阻与整流磁电阻的研究
半导体与多种异质结构的磁性与调控
基于磷氧基团的铱配合物和电子传输材料的合成及性能研究
几种铱配合物的合成和光电性能研究
稀磁半导体(Zn,Co)O中的栅极电压调控自旋输运特性研究
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究
增强型AlGaN/GaN HEMT结构设计与仿真研究
GaN基垂直功率器件击穿机理与新结构研究
1700V RC-IGBT的设计与仿真分析
大电流SiC MOSFET器件关键技术与器件研究
有机半导体中激发铁磁性的机理研究
基于0.13μm工艺的split-gate DMOS设计
基于复合绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管制备及其性能研究
GaN基异质结构及HEMT器件制备研究
AlGaN/GaN凹槽栅MISHEMT器件工艺与新结构研究
硅基GaN功率MISFET新结构研究
扫描干涉光刻中干涉条纹漂移误差分析及抑制
高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究
二硫族二维半导体材料的制备及性能研究
基于表面等离子体的超分辨光刻理论与实验研究
高压高性能LIGBT器件新结构研究
锁相载流子成像自动化检测系统的研制
光载流子辐射测量的非线性初步分析
基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管工艺及性能研究
FS结构的3300V IGBT终端设计
一种低温度系数触发电流的可控硅设计
600V高雪崩耐量平面栅VDMOS器件优化设计
采用双栅MOS结构的抗总剂量关键技术研究
集成温度采样功能的IGBT设计
基于600V的IGBT驱动电路设计
一种开关过程优化的高压IGBT驱动电路设计
硅基瞬态器件及其工艺实现的研究
新型700V低比导通电阻LDMOS的研究与设计
10KV 4H-SiC IGBT的分析与设计
有机空穴传输层表界面调控构筑高性能蓝紫色量子点发光二极管
上一页
[92]
[93]
[94]
[95]
[96]
下一页
