| 中文摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 第1章 绪论 | 第14-43页 |
| 1.1 研究背景 | 第14页 |
| 1.2 稀磁半导体的研究进展 | 第14-33页 |
| 1.2.1 GaAs基稀磁半导体的研究进展 | 第18-28页 |
| 1.2.2 InSb基稀磁半导体的研究进展 | 第28-32页 |
| 1.2.3 稀磁半导体中电场调控磁性的研究进展 | 第32-33页 |
| 1.3 多铁异质结构电控磁性的研究进展 | 第33-38页 |
| 1.4 电场调控磁性机制的分类 | 第38-41页 |
| 1.4.1 载流子密度调控机制 | 第39页 |
| 1.4.2 应变效应机制 | 第39-41页 |
| 1.4.3 交换耦合调控机制 | 第41页 |
| 1.5 本论文的选题意义和研究内容 | 第41-43页 |
| 第2章 样品的制备、表征和测量方法简介 | 第43-51页 |
| 2.1 引言 | 第43页 |
| 2.2 薄膜样品的主要制备技术 | 第43-44页 |
| 2.3 稀磁半导体的主要制备方法 | 第44-47页 |
| 2.4 样品的主要表征方法 | 第47-48页 |
| 2.5 样品性质的测量方法 | 第48-50页 |
| 2.6 射程分布模拟方法 | 第50-51页 |
| 第3章 [FeCo/Ag]_5/PMN-PT多铁异质结构的磁电性质研究 | 第51-64页 |
| 3.1 引言 | 第51-53页 |
| 3.2 [FeCo/Ag]_5/PMN-PT多铁异质结构的磁电性质研究 | 第53-63页 |
| 3.2.1 [FeCo_((60s))/Ag_((4s))]_5/PMN-PT样品制备 | 第53-55页 |
| 3.2.2 电压对[FeCo_((60s))/Ag_((4s))]_5/PMN-PT磁电性质的影响 | 第55-56页 |
| 3.2.3 [FeCo_((60s))/Ag_((2s))]_5/PMN-PT样品制备 | 第56-57页 |
| 3.2.4 电压对[FeCo_((60s))/Ag_((2s))]_5/PMN-PT磁电性质的影响 | 第57-59页 |
| 3.2.5 磁场方向对[FeCo_((60s))/Ag_((2s))]_5/PMN-PT磁电性质的影响 | 第59-61页 |
| 3.2.6 电压对[FeCo_((60s))/Ag_((2s))]_5/PMN-PT剩磁的调控 | 第61-63页 |
| 3.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 离子注入砷化镓(GaAs)基稀磁半导体 | 第64-92页 |
| 4.1 引言 | 第64-67页 |
| 4.2 离子注入砷化镓基稀磁半导体的制备及磁性研究 | 第67-80页 |
| 4.2.1 铬离子注入砷化镓晶体的磁性测量 | 第67-71页 |
| 4.2.2 退火对铬离子注入砷化镓晶体磁性的影响 | 第71-74页 |
| 4.2.3 钛离子注入砷化镓晶体的磁性测量 | 第74-77页 |
| 4.2.4 退火对钛离子注入砷化镓晶体磁性的影响 | 第77-80页 |
| 4.2.5 电性质测量 | 第80页 |
| 4.3 第一性原理计算 | 第80-88页 |
| 4.3.1 Ti掺杂GaAs第一性原理计算 | 第82-85页 |
| 4.3.2 Cr掺杂GaAs第一性原理计算 | 第85-88页 |
| 4.4 极化电压对砷化镓基片磁性的影响 | 第88-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 离子注入锑化铟(InSb)基稀磁半导体 | 第92-106页 |
| 5.1 引言 | 第92-93页 |
| 5.2 离子注入锑化铟基稀磁半导体的制备及磁性研究 | 第93-105页 |
| 5.2.1 铬离子注入锑化铟晶体的磁性测量 | 第93-97页 |
| 5.2.2 退火对铬离子注入锑化铟晶体磁性的影响 | 第97-99页 |
| 5.2.3 钛离子注入锑化铟晶体的磁性测量 | 第99-102页 |
| 5.2.4 退火对钛离子注入砷化镓晶体磁性的影响 | 第102-105页 |
| 5.3 本章小结 | 第105-106页 |
| 第6章 总结与展望 | 第106-108页 |
| 6.1 总结 | 第106-107页 |
| 6.2 展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第120页 |
