集成温度采样功能的IGBT设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 IGBT器件简介 | 第10-13页 |
| 1.2 IGBT器件发展概况 | 第13-15页 |
| 1.3 集成温度采样功能IGBT发展 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的研究意义和主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 功率器件过温保护 | 第18-26页 |
| 2.1 功率器件过温保护意义 | 第18-20页 |
| 2.2 功率器件过温保护的基本方法 | 第20-23页 |
| 2.3 多晶二极管过温保护的架构 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 温度采样器件多晶二极管设计 | 第26-36页 |
| 3.1 多晶二极管的结构制定 | 第26-28页 |
| 3.2 多晶二极管的工艺流程 | 第28-29页 |
| 3.3 多晶二极管的工作特性 | 第29-35页 |
| 3.3.1 多晶二极管的正向导通特性 | 第30-34页 |
| 3.3.2 多晶二极管的反向阻断特性 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 功率器件IGBT的设计 | 第36-55页 |
| 4.1 Trench-FS IGBT的工艺流程 | 第36-38页 |
| 4.2 Trench-FS IGBT的元胞设计 | 第38-47页 |
| 4.2.1 外延参数 | 第39-41页 |
| 4.2.2 Pbody参数 | 第41-42页 |
| 4.2.2.1 Pbody注入剂量 | 第41页 |
| 4.2.2.2 Pbody推结时间 | 第41-42页 |
| 4.2.3 CS层参数 | 第42-43页 |
| 4.2.4 沟槽栅参数 | 第43-45页 |
| 4.2.5 FS层参数 | 第45-46页 |
| 4.2.5.1 FS层电阻率 | 第45页 |
| 4.2.5.2 FS层厚度 | 第45-46页 |
| 4.2.6 背部集电极的注入剂量 | 第46-47页 |
| 4.3 Trench-FS IGBT的工作特性 | 第47-52页 |
| 4.3.1 正向阻断特性 | 第47-49页 |
| 4.3.2 正向导通特性 | 第49-50页 |
| 4.3.3 关断特性 | 第50-52页 |
| 4.4 Trench-FS IGBT终端设计 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 功能验证与版图设计 | 第55-74页 |
| 5.1 IGBT的Spice模型 | 第55-65页 |
| 5.1.1 IGBT器件模型提取 | 第56-63页 |
| 5.1.2 IGBT模型Spice仿真 | 第63-65页 |
| 5.2 多晶二极管的Spice模型 | 第65-68页 |
| 5.2.1 多晶二极管模型提取 | 第65-66页 |
| 5.2.2 多晶二极管Spice模型仿真 | 第66-68页 |
| 5.3 过温保护功能验证 | 第68-70页 |
| 5.4 集成温度采样功能IGBT版图设计 | 第70-73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第79-80页 |
