一种低温度系数触发电流的可控硅设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 分立器件简介 | 第9-10页 |
| 1.2 可控硅发展概况 | 第10-12页 |
| 1.3 本课题的研究意义 | 第12-14页 |
| 第二章 单向可控硅基本理论 | 第14-30页 |
| 2.1 单向可控硅的器件结构 | 第14-15页 |
| 2.2 单向可控硅的静态特性 | 第15-21页 |
| 2.2.1 反向阻断特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 正向阻断特性 | 第17-18页 |
| 2.2.3 导通特性 | 第18-21页 |
| 2.3 单向可控硅的开关特性 | 第21-23页 |
| 2.3.1 开通的瞬态过程 | 第21-22页 |
| 2.3.2 关断的瞬态过程 | 第22-23页 |
| 2.4 终端技术 | 第23-29页 |
| 2.4.1 场限环技术 | 第24-25页 |
| 2.4.2 斜角边缘终端 | 第25-28页 |
| 2.4.3 P型穿通隔离墙 | 第28页 |
| 2.4.4 沟槽 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 减小触发电流温度系数的几种方法 | 第30-38页 |
| 3.1 触发电流随温度改变的原因 | 第30-31页 |
| 3.2 减小高温下触发电流温度系数的方法 | 第31-35页 |
| 3.2.1 减小NPN三极管的放大系数 | 第31-34页 |
| 3.2.2 表面薄膜电阻条 | 第34-35页 |
| 3.3 减小低温下触发电流温度系数的方法 | 第35-38页 |
| 3.3.1 多晶硅发射区 | 第35-36页 |
| 3.3.2 LEC结构 | 第36-38页 |
| 第四章 仿真和版图设计 | 第38-55页 |
| 4.1 仿真设计 | 第38-53页 |
| 4.1.1 触发电流仿真方法 | 第38-40页 |
| 4.1.2 衬底参数 | 第40-43页 |
| 4.1.3 P型基区参数 | 第43-46页 |
| 4.1.4 N+阴极区参数 | 第46-47页 |
| 4.1.5 P+阳极区参数 | 第47-48页 |
| 4.1.6 多晶硅电阻条参数 | 第48-53页 |
| 4.2 版图设计 | 第53-55页 |
| 第五章 制造工艺 | 第55-68页 |
| 5.1 流程设计 | 第55-56页 |
| 5.2 工艺设计 | 第56-65页 |
| 5.3 测试结果 | 第65-68页 |
| 5.3.1 测试曲线 | 第65-67页 |
| 5.3.2 结论 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
