| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-33页 |
| 1.1 固体缺陷 | 第9-14页 |
| 1.1.1 固体缺陷的类型 | 第10-11页 |
| 1.1.2 固体缺陷的模拟计算 | 第11-14页 |
| 1.2 半导体自旋电子学的研究 | 第14-26页 |
| 1.2.1 自旋注入的研究 | 第15-21页 |
| 1.2.2 基于硅的自旋电子学的发展 | 第21-26页 |
| 1.3 论文选题意义 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-33页 |
| 第二章 理论基础及基于密度泛函的第一性原理计算 | 第33-47页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第33-38页 |
| 2.1.1 Hartree-Fock方程 | 第33-35页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第35-37页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
| 2.2 密度泛函理论的数值计算方法 | 第38-42页 |
| 2.3 第一性原理的应用 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第三章 CdTe和InN中缺陷及电荷导电行为的研究 | 第47-73页 |
| 3.1 研究背景 | 第47-50页 |
| 3.2 CdTe薄膜中本征缺陷和掺杂的研究 | 第50-63页 |
| 3.2.1 计算方法及结构模型 | 第50-53页 |
| 3.2.2 本征缺陷与掺杂对CdTe薄膜性质的影响 | 第53-63页 |
| 3.3 InN薄膜中Ba或Zn掺杂的研究 | 第63-66页 |
| 3.3.1 计算方法及结构模型 | 第63-64页 |
| 3.3.2 Ba或Zn掺杂对InN薄膜性质的影响 | 第64-66页 |
| 3.4 小结 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第四章 Si中缺陷及自旋极化行为的研究 | 第73-93页 |
| 4.1 研究背景 | 第73-75页 |
| 4.2 计算方法及结构模型 | 第75-78页 |
| 4.3 Si衬底自旋极化行为的研究 | 第78-86页 |
| 4.4 掺杂对Si衬底自旋极化行为的影响 | 第86-90页 |
| 4.5 小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第五章 总结 | 第93-95页 |
| 博士期间成果 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |