| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第12-15页 |
| 1.2 IGBT发展和技术 | 第15-24页 |
| 1.3 主要工作和创新点 | 第24-27页 |
| 第二章P型埋层LIGBT器件关断模型及新结构 | 第27-66页 |
| 2.1 P型埋层LIGBT关断模型 | 第27-36页 |
| 2.1.1 关断损耗模型 | 第28-29页 |
| 2.1.2 关断dV/dt模型 | 第29-36页 |
| 2.2 具有P型埋层的SOI LIGBT器件 | 第36-47页 |
| 2.2.1 关断过程和关断损耗 | 第37-41页 |
| 2.2.2 参数优化与分析 | 第41-45页 |
| 2.2.3 E_(off)与V_(on)折衷关系 | 第45-46页 |
| 2.2.4 温度分布 | 第46-47页 |
| 2.3 双栅P型埋层SOI LIGBT器件 | 第47-52页 |
| 2.3.1 器件结构 | 第48页 |
| 2.3.2 特性分析 | 第48-50页 |
| 2.3.3 参数优化和折衷关系 | 第50-52页 |
| 2.4 具有U型超结的槽型漂移区SOI LIGBT器件 | 第52-65页 |
| 2.4.1 器件结构 | 第52-53页 |
| 2.4.2 耐压特性 | 第53-55页 |
| 2.4.3 开关特性和载流子运动模式 | 第55-58页 |
| 2.4.4 参数优化 | 第58-61页 |
| 2.4.5 背栅效应 | 第61-65页 |
| 2.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第三章 增强型槽栅LIGBT器件新结构 | 第66-84页 |
| 3.1 具有增强型槽栅的SOI LIGBT器件 | 第66-75页 |
| 3.1.1 器件结构 | 第66-67页 |
| 3.1.2 静态特性和载流子存储效应 | 第67-70页 |
| 3.1.3 器件参数对关断特性的影响 | 第70-75页 |
| 3.2 双槽栅载流子存储SOI LIGBT器件 | 第75-83页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第76页 |
| 3.2.2 静态特性 | 第76-80页 |
| 3.2.3 关断特性 | 第80-83页 |
| 3.3 本章小结 | 第83-84页 |
| 第四章 高压超结LIGBT器件研究和实验 | 第84-102页 |
| 4.1 基于体硅的表面超结LIGBT器件 | 第84-95页 |
| 4.1.1 器件结构和设计 | 第84-86页 |
| 4.1.2 终端设计 | 第86-88页 |
| 4.1.3 工艺流程和版图 | 第88-92页 |
| 4.1.4 实验结果 | 第92-95页 |
| 4.2 具有部分超结的薄硅层SOI LIGBT器件 | 第95-101页 |
| 4.2.1 器件结构和设计 | 第95-97页 |
| 4.2.2 工艺流程和版图 | 第97-99页 |
| 4.2.3 实验结果 | 第99-101页 |
| 4.3 本章小结 | 第101-102页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第102-105页 |
| 5.1 全文总结 | 第102-103页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第116-121页 |