| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第11-14页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 断裂力学及单晶硅力学性质 | 第16-26页 |
| 2.1 断裂力学基础理论 | 第16-21页 |
| 2.1.1 裂纹基本类型 | 第16-17页 |
| 2.1.2 裂纹扩展准则 | 第17-21页 |
| 2.2 单晶硅力学常数及性质 | 第21-23页 |
| 2.2.1 单晶硅的基本力学常数 | 第21-23页 |
| 2.2.2 单晶硅的强度极限 | 第23页 |
| 2.3 单晶硅脆性断裂的研究 | 第23-25页 |
| 2.3.1 晶向对单晶硅脆性断裂的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.2 表面形貌及损伤对单晶硅断裂的影响 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小节 | 第25-26页 |
| 第三章 基于ABAQUS的硅片力学性质分析及裂纹扩展仿真 | 第26-44页 |
| 3.1 ABAQUS软件简介 | 第26-27页 |
| 3.2 应力集中及沟槽对应力集中的影响 | 第27-31页 |
| 3.2.1 应力集中 | 第27-28页 |
| 3.2.2 硅片上刻蚀沟槽对应力集中的影响 | 第28-31页 |
| 3.3 硅片强度测试 | 第31-36页 |
| 3.3.1 三点弯强度测试 | 第31-32页 |
| 3.3.2 不同尺寸硅片强度测试 | 第32-36页 |
| 3.4 基于XFEM的硅片裂纹扩展仿真 | 第36-42页 |
| 3.4.1 扩展有限元法 | 第36-38页 |
| 3.4.2 基于XFEM的硅片裂纹扩展仿真 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 应力引入方式及硅基瞬态器件应力引入方案 | 第44-57页 |
| 4.1 硅片应力引入方式 | 第44-48页 |
| 4.1.1 应力产生原理及计算 | 第44-45页 |
| 4.1.2 薄膜应力与衬底应力关系 | 第45-48页 |
| 4.2 硅基瞬态器件应力引入方案 | 第48-50页 |
| 4.2.1 填充金属材料的选择 | 第48页 |
| 4.2.2 不同金属填充COMSOL仿真分析 | 第48-50页 |
| 4.3 沟槽图形对应力集中的影响分析 | 第50-56页 |
| 4.3.1 有无V形尖角对应力集中的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 V形尖角位置对应力的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.3 改变硅片和沟槽尺寸分析器件性能 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 硅基瞬态器件工艺实现研究 | 第57-68页 |
| 5.1 硅片刻蚀 | 第57-60页 |
| 5.1.1 湿法刻蚀 | 第57-58页 |
| 5.1.2 干法刻蚀 | 第58页 |
| 5.1.3 硅片深槽刻蚀 | 第58-60页 |
| 5.2 电镀铜简介 | 第60-61页 |
| 5.3 电镀铜深槽填充 | 第61-65页 |
| 5.3.1 电镀设备和电镀液配制 | 第61页 |
| 5.3.2 电镀铜脱落原因及电镀方案改进 | 第61-62页 |
| 5.3.3 沟槽结构填充 | 第62-65页 |
| 5.4 硅基瞬态器件通电触发 | 第65-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75-76页 |