| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 SiC材料介绍 | 第10-11页 |
| 1.2 SiC IGBT器件发展概况 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 SiC IGBT基本工作原理及仿真平台搭建 | 第15-34页 |
| 2.1 IGBT结构和基本原理 | 第15-16页 |
| 2.2 IGBT的阻断特性 | 第16-19页 |
| 2.3 IGBT的导通特性 | 第19-22页 |
| 2.4 IGBT的动态特性 | 第22-25页 |
| 2.5 IGBT的安全工作区 | 第25-28页 |
| 2.6 仿真平台搭建 | 第28-33页 |
| 2.6.1 物理模型 | 第28-31页 |
| 2.6.2 模型参数选取及仿真验证 | 第31-33页 |
| 2.7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 4H-SiC IGBT元胞的设计和优化 | 第34-51页 |
| 3.1 N型与P型 4H-SiC CEL-IGBT的对比仿真 | 第34-38页 |
| 3.1.1 击穿电压 | 第35-37页 |
| 3.1.2 正向导通特性 | 第37-38页 |
| 3.1.3 正向导通压降与关断损耗的折中特性 | 第38页 |
| 3.2 4H-SiC CEL-IGBT的局限性 | 第38-41页 |
| 3.3 4H-SiC BICEL-IGBT的仿真优化及分析 | 第41-49页 |
| 3.3.1 埋岛浓度优化 | 第42-43页 |
| 3.3.2 埋岛厚度优化 | 第43-44页 |
| 3.3.3 CEL厚度优化 | 第44-45页 |
| 3.3.4 4H-SiC BICEL-IGBT与 4H-SiC CEL-IGBT特性对比 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 4H-SiC IGBT终端及版图设计 | 第51-64页 |
| 4.1 4H-SiC IGBT终端选型 | 第51-53页 |
| 4.2 4H-SiC IGBT终端设计优化 | 第53-59页 |
| 4.2.1 环个数优化 | 第53页 |
| 4.2.2 环宽优化 | 第53-54页 |
| 4.2.3 环间距优化 | 第54-59页 |
| 4.3 工艺流程 | 第59-62页 |
| 4.4 版图设计 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
