| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 分子电子学的发展 | 第12-14页 |
| 1.2 半导体重构表面 | 第14-16页 |
| 1.2.1 Si(100)-2×1表面 | 第15-16页 |
| 1.2.2 Si(111)-7×7表面 | 第16页 |
| 1.3 Si(100)-2×1表面自组装分子阵列 | 第16-20页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5 参考文献 | 第21-28页 |
| 第二章 理论方法 | 第28-36页 |
| 2.1 两种近似 | 第28-30页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第29-30页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第30-34页 |
| 2.2.1 Thomas-Feimi-Dirac模型 | 第30-31页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第31-32页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第32-33页 |
| 2.2.4 交换关联能泛函 | 第33页 |
| 2.2.4.1 局域密度近似(LDA) | 第33页 |
| 2.2.4.2 广义梯度近似(GGA) | 第33页 |
| 2.2.5 赝势 | 第33-34页 |
| 2.3 VASP软件包 | 第34页 |
| 2.4 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 通过表面聚合反应在Si(001)表面制备导电分子线 | 第36-48页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第37-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 3.6 参考文献 | 第44-48页 |
| 第四章 1,3,5-三乙炔苯在Si(100)-2×1表面自组装及通过与CO的表面聚合反应制备表面导电聚合物 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第49-50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55页 |
| 4.5 参考文献 | 第55-60页 |
| 第五章 利用分子自组装和表面聚合反应在H-Si(100)2×1表面制备导电聚噻吩分子线 | 第60-74页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第61-62页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第62-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69页 |
| 5.5 参考文献 | 第69-74页 |
| 第六章 [EuCOTB]_∞三明治分子线及H-Ge(001)-2×1表面对分子线电磁性质的影响 | 第74-88页 |
| 6.1 引言 | 第74-76页 |
| 6.2 计算模型和方法 | 第76页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第76-82页 |
| 6.3.1 一维[EuCOT]_∞分子线的结果和电磁性质 | 第76-77页 |
| 6.3.2 一维[EuCOTB]_∞分子线的结构和电磁性质 | 第77-79页 |
| 6.3.3 一维[Eu-COTB-Eu-COT]_∞分子线的结构和电磁性质 | 第79-80页 |
| 6.3.4 [EuCOTB]/Ge(001)和[Eu-COTB-Eu-COT]/Ge(001) | 第80-82页 |
| 6.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 6.5 参考文献 | 第83-88页 |
| 第七章 论文总结和展望 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 攻读博士学位期间已发表和待发表论文 | 第92页 |
