| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 从红外辐射到红外探测器 | 第13-15页 |
| 1.2 低维光电探测器 | 第15-18页 |
| 1.2.1 量子阱探测器 | 第15页 |
| 1.2.2 量子点探测器 | 第15-16页 |
| 1.2.3 量子级联探测器 | 第16-18页 |
| 1.3 共振隧穿探测器 | 第18-19页 |
| 1.4 论文研究方法 | 第19页 |
| 1.5 论文研究内容和创新点 | 第19-20页 |
| 1.6 课题来源 | 第20-21页 |
| 第二章 低维光电探测器 | 第21-36页 |
| 2.1 低维半导体的特性 | 第21-25页 |
| 2.1.1 低维半导体中的隧穿几率 | 第21-23页 |
| 2.1.2 共振隧穿二极管 | 第23-25页 |
| 2.2 AlGaAs/InGaAs低维光电探测器中共振隧穿方式 | 第25-28页 |
| 2.2.1 量子阱之间的隧穿 | 第25-26页 |
| 2.2.2 量子点与量子阱之间的隧穿 | 第26-27页 |
| 2.2.3 二维电子气与量子阱之间的隧穿 | 第27-28页 |
| 2.3 n-i-n型双势垒阱中量子点光电探测器的建模仿真 | 第28-31页 |
| 2.4 p-i-n双势垒共振隧穿光电探测器的建模仿真 | 第31-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 低温读出电路特性研究 | 第36-45页 |
| 3.1 低温CMOS电路的概述 | 第36页 |
| 3.2 影响低温CMOS电路的因素 | 第36-38页 |
| 3.3 低温下MOSFET的几个关键参数 | 第38-41页 |
| 3.3.1 载流子饱和速度 | 第38-39页 |
| 3.3.2 阈值电压 | 第39-40页 |
| 3.3.3 寄生电阻 | 第40页 |
| 3.3.4 载流子迁移率 | 第40-41页 |
| 3.4 低温读出电路设计方法 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 2×8阵列低温读出电路的研究与测试 | 第45-58页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 2×8读出电路的基本构成模块 | 第45-48页 |
| 4.2.1 运算放大器 | 第46-47页 |
| 4.2.2 读出结构 | 第47-48页 |
| 4.3 后仿 | 第48-51页 |
| 4.4 芯片封装测试 | 第51-57页 |
| 4.4.1 低温测试环境 | 第51-52页 |
| 4.4.2 低温测试流程 | 第52-53页 |
| 4.4.3 低温测试结果 | 第53-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 5.1 论文总结 | 第58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-68页 |
| 附录 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
