| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-43页 |
| 1.1 半导体纳米晶 | 第12-19页 |
| 1.1.1 半导体纳米晶简介 | 第12-16页 |
| 1.1.2 半导体纳米晶的能级结构 | 第16-19页 |
| 1.2 单光子源的研究 | 第19-21页 |
| 1.2.1 单光子源简介 | 第19-20页 |
| 1.2.2 单光子源发展 | 第20-21页 |
| 1.3 多激子复合的研究 | 第21-26页 |
| 1.3.1 俄歇效应 | 第21-25页 |
| 1.3.2 多激子复合 | 第25-26页 |
| 1.4 载流子倍增效应 | 第26-31页 |
| 1.4.1 载流子倍增简介 | 第26-29页 |
| 1.4.2 存在的争议 | 第29-30页 |
| 1.4.3 研究进展 | 第30-31页 |
| 1.5 本论文的研究内容与意义 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-43页 |
| 第二章 CsPbBr_3纳米晶的单光子发射研究 | 第43-59页 |
| 2.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.2 实验部分 | 第44-45页 |
| 2.2.1 CsPbBr_3纳米晶的制备 | 第44页 |
| 2.2.2 CsPbBr_3纳米晶的光学测量 | 第44-45页 |
| 2.3 结果分析与讨论 | 第45-54页 |
| 2.3.1 CsPbBr_3纳米晶的尺寸与基本光学性质 | 第45-47页 |
| 2.3.2 吸收截面和荧光寿命 | 第47-49页 |
| 2.3.3 荧光闪烁和单光子发射 | 第49-52页 |
| 2.3.4 低温荧光光谱和寿命 | 第52-54页 |
| 2.4 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 第三章 单个CdSe纳米晶带电双激子的研究 | 第59-72页 |
| 3.1 引言 | 第59-60页 |
| 3.2 实验部分 | 第60-61页 |
| 3.2.1 CdSe/ZnS纳米晶样品 | 第60-61页 |
| 3.2.2 光学测量 | 第61页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第61-67页 |
| 3.3.1 功率依赖的荧光闪烁曲线 | 第61-64页 |
| 3.3.2 光子二阶相关函数统计 | 第64-65页 |
| 3.3.3 荧光寿命 | 第65-67页 |
| 3.4 小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第四章 单个纳米晶载流子倍增的研究 | 第72-96页 |
| 4.1 引言 | 第72-74页 |
| 4.2 实验部分 | 第74-77页 |
| 4.2.1 CdSe/ZnS纳米晶样品及准备 | 第74-75页 |
| 4.2.2 CdSe/ZnS纳米晶的光学测量 | 第75-77页 |
| 4.3 结果分析与讨论 | 第77-89页 |
| 4.3.1 纳米晶的吸收截面 | 第77-78页 |
| 4.3.2 荧光闪烁曲线 | 第78-81页 |
| 4.3.3 荧光衰减曲线 | 第81-84页 |
| 4.3.4 载流子倍增效率 | 第84-88页 |
| 4.3.5 带电激子 | 第88-89页 |
| 4.4 小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-96页 |
| 第五章 总结与展望 | 第96-99页 |
| 已(待)发表文章列表 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |