FS结构的3300V IGBT终端设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| 1.1 IGBT发展概况 | 第9-12页 |
| 1.2 结终端技术的发展概况 | 第12-17页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第17页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 结终端基本理论 | 第18-34页 |
| 2.1 PN结击穿原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 雪崩击穿 | 第18-19页 |
| 2.1.2 热击穿 | 第19-21页 |
| 2.2 FS IGBT的阻断特性 | 第21-22页 |
| 2.3 结终端技术 | 第22-33页 |
| 2.3.1 等位环 | 第23-24页 |
| 2.3.2 场限环 | 第24-26页 |
| 2.3.3 场板 | 第26-27页 |
| 2.3.4 VLD结合埋层 | 第27-29页 |
| 2.3.5 斜场板结合深槽 | 第29-31页 |
| 2.3.6 浅槽结合场限环 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 终端选型及设计 | 第34-53页 |
| 3.1 终端结构选型 | 第34-36页 |
| 3.2 终端工艺步骤 | 第36-41页 |
| 3.3 终端结构设计 | 第41-52页 |
| 3.3.1 场氧化层厚度 | 第42-43页 |
| 3.3.2 环间距 | 第43-44页 |
| 3.3.3 多晶场板和金属场板拉偏 | 第44-48页 |
| 3.3.4 温度 | 第48-50页 |
| 3.3.5 两种电场分布结构的击穿特性对比 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 版图设计及流片测试与分析 | 第53-63页 |
| 4.1 版图设计 | 第53-56页 |
| 4.1.1 版图设计规则 | 第53-54页 |
| 4.1.2 版图设计结构 | 第54-56页 |
| 4.2 流片测试与结果分析 | 第56-62页 |
| 4.2.0 裸片测试结果分析 | 第56-57页 |
| 4.2.1 封装测试结果分析 | 第57-58页 |
| 4.2.2 高温反向偏置实验 | 第58-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
