| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-13页 |
| 1.2 GaN基功率器件的研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 GaN基垂直功率二极管的基本特性与耐压技术 | 第19-33页 |
| 2.1 GaN材料的基本特性 | 第19-21页 |
| 2.2 GaN基功率二极管的正向导通特性和击穿机理 | 第21-25页 |
| 2.2.1 GaN基功率二极管的正向导通特性 | 第22-23页 |
| 2.2.2 GaN基功率二极管的击穿特性 | 第23-25页 |
| 2.3 GaN基功率二极管的常规耐压技术分析 | 第25-32页 |
| 2.3.1 场板技术对功率二极管击穿特性的改善 | 第25-27页 |
| 2.3.2 场环技术对功率二极管击穿特性的改善 | 第27页 |
| 2.3.3 斜角边缘终端技术对功率二极管击穿特性的改善 | 第27-30页 |
| 2.3.4 结终端扩展技术对功率二极管击穿特性的改善 | 第30-31页 |
| 2.3.5 超结技术对功率二极管击穿特性的改善 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 新型电荷补偿结构GaN基垂直pn结二极管研究 | 第33-43页 |
| 3.1 电荷补偿耐压技术介绍 | 第33-35页 |
| 3.2 GaN ICE-VGD关键结构参数优化设计 | 第35-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 高/低K复合介质层GaN基垂直pn结二极管研究 | 第43-59页 |
| 4.1 高/低K复合钝化层技术介绍 | 第43-44页 |
| 4.2 高/低K复合介质层提升功率二极管耐压的理论基础 | 第44-48页 |
| 4.3 GaN CD-VGD中高/低K复合介质层关键结构参数优化设计 | 第48-56页 |
| 4.4 探索GaN CD-VGD关键制作工艺 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |
