| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料简介 | 第11-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaN器件简介 | 第12-16页 |
| 1.3.1 AlGaN/GaN器件材料和工艺优化 | 第12-13页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN HEMT器件的结构优化 | 第13页 |
| 1.3.3 AlGaN/GaN HEMT的发展动态与研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.4 HEMT器件仿真模拟的意义 | 第15-16页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 HEMT器件基本原理与特性 | 第17-27页 |
| 2.1 极化效应与二维电子气 | 第17-20页 |
| 2.1.1 极化效应 | 第17-19页 |
| 2.1.2 二维电子气 | 第19-20页 |
| 2.2 HEMT器件的工作原理与性能参数 | 第20-25页 |
| 2.2.1 GaN HEMT器件的直流性能参数 | 第21-22页 |
| 2.2.2 GaN HEMT器件的小信号特性 | 第22-24页 |
| 2.2.3 GaN器件的功率性能参数 | 第24-25页 |
| 2.3 GaN HEMT器件的制备简介 | 第25-27页 |
| 第三章 器件物理建模与仿真方法 | 第27-37页 |
| 3.1 Sentaurus TCAD仿真软件简介 | 第27-30页 |
| 3.2 仿真软件的物理基础 | 第30-36页 |
| 3.2.1 半导体器件基本方程 | 第30-32页 |
| 3.2.2 仿真软件中的物理模型 | 第32-34页 |
| 3.2.3 电边界条件 | 第34-36页 |
| 3.3 器件仿真方案 | 第36-37页 |
| 第四章 氟离子注入增强型HEMT器件特性仿真 | 第37-51页 |
| 4.1 势垒层厚度对器件性能的影响 | 第37-41页 |
| 4.2 氟离子注入对器件性能的影响 | 第41-46页 |
| 4.3 栅下对称区间氟离子注入对器件性能的影响 | 第46-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 轻掺杂漏增强型HEMT器件设计与仿真 | 第51-62页 |
| 5.1 轻掺杂漏新结构与普通结构耐压性能比较 | 第52-55页 |
| 5.2 轻掺杂漏区域的掺杂浓度对器件耐压性能的影响 | 第55-58页 |
| 5.3 轻掺杂漏区域的长度对器件耐压性能的影响 | 第58-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
