摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-32页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 Ⅱ-Ⅵ族量子点材料的发展简介 | 第12-17页 |
1.3 基于量子点电致发光器件的性能简介 | 第17-30页 |
1.3.1 量子点的激发机制 | 第17-18页 |
1.3.2 QD-LEDs的结构与性能 | 第18-30页 |
1.4 本论文的主要内容和结构安排 | 第30-32页 |
1.4.1 主要内容 | 第30-31页 |
1.4.2 本论文的结构安排 | 第31-32页 |
第二章 有机传输层/有机界面在不同环境气氛下的改变对蓝色QD-LEDs的影响 | 第32-49页 |
2.1 引言 | 第32-33页 |
2.2 实验部分 | 第33-35页 |
2.2.1 实验试剂 | 第33页 |
2.2.2 Zn_xCd_(1-x)Se/ZnS核壳量子点及ZnO纳米晶的合成 | 第33-34页 |
2.2.2.1 Zn_xCd_(1-x)Se/ZnS核壳量子点的合成 | 第33-34页 |
2.2.2.2 ZnO纳米晶的合成 | 第34页 |
2.2.3 QD-LEDs器件的组装 | 第34-35页 |
2.3 量子点及QD-LEDs器件的性能表征 | 第35页 |
2.4 结果与讨论 | 第35-48页 |
2.4.1 ZnCdSe核和ZnCdSe/ZnS核壳量子点的表征 | 第35-36页 |
2.4.2 环境气氛对器件性能的影响 | 第36-43页 |
2.4.2.1 TFB在空气中处理时器件的性能变化 | 第38-43页 |
2.4.3 环境气氛对QD-LEDs性能影响的可能机制 | 第43-48页 |
2.5 本章小结 | 第48-49页 |
第三章 基于聚甲基丙烯酸甲酯的界面层调控构筑高性能蓝色QD-LEDs | 第49-67页 |
3.1 引言 | 第49-50页 |
3.2 实验部分 | 第50-52页 |
3.2.1 实验试剂 | 第50页 |
3.2.2 非闪烁ZnCdSe/ZnS//ZnS核壳量子点的合成 | 第50-51页 |
3.2.2.1 前驱体的制备 | 第50-51页 |
3.2.2.2 非闪烁ZnCdSe/ZnS//ZnS蓝色量子点的合成 | 第51页 |
3.2.3 单颗粒薄膜样品的制备 | 第51页 |
3.2.4 QD-LEDs器件的组装 | 第51-52页 |
3.2.5 量子点及QD-LEDs的表征仪器 | 第52页 |
3.3 结果与讨论 | 第52-65页 |
3.3.1 非闪烁ZnCdSe/ZnS//ZnS量子点的表征 | 第52-55页 |
3.3.2 基于非闪烁ZnCd Se/ZnS//ZnS量子点的器件性能表征 | 第55-65页 |
3.3.2.1 基于非闪烁Zn CdSe/ZnS//ZnS量子点的器件结构 | 第55-57页 |
3.3.2.2 QD-LEDs中薄膜的荧光寿命分析 | 第57-59页 |
3.3.2.3 单载流子器件的表征 | 第59-60页 |
3.3.2.4 基于非闪烁Zn CdSe/ZnS//ZnS量子点的器件性能表征 | 第60-63页 |
3.3.2.5 基于其他荧光峰位量子点的电致发光器件的性能表征 | 第63-65页 |
3.4 本章小结 | 第65-67页 |
第四章 基于有机空穴传输层的界面势垒调控构筑高性能无Cd体系的紫色QD-LEDs | 第67-82页 |
4.1 引言 | 第67-68页 |
4.2 实验部分 | 第68-70页 |
4.2.1 实验试剂 | 第68页 |
4.2.2 ZnSe/ZnS量子点和ZnO纳米晶的合成 | 第68-69页 |
4.2.3 QD-LEDs器件的构筑 | 第69页 |
4.2.4 量子点及其QD-LEDs器件的表征 | 第69-70页 |
4.3 结果与讨论 | 第70-81页 |
4.3.1 ZnSe/ZnS量子点的表征 | 第70-71页 |
4.3.2 QD-LEDs器件的性能表征 | 第71-81页 |
4.3.2.1 不同的空穴传输材料对QD-LEDs性能的影响 | 第72-75页 |
4.3.2.2 TFB和PVK的厚度对QD-LEDs性能的影响 | 第75-77页 |
4.3.2.3 TFB和PVK的混合比例对器件性能的影响 | 第77-79页 |
4.3.2.4 TFB-PVK混合成膜与TFB/PVK连续成膜时的器件性能对比 | 第79-81页 |
4.4 本章小结 | 第81-82页 |
第五章 总结 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-98页 |
攻读博士学位期间的论文成果 | 第98-100页 |
致谢 | 第100-101页 |