| 摘要 | 第11-15页 |
| ABSTRACT | 第15-20页 |
| 第一章 绪论 | 第21-40页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料与器件的研究和应用 | 第21-26页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物材料在光电子领域的应用 | 第21-24页 |
| 1.1.2 Ⅲ族氮化物材料在微电子领域的应用 | 第24页 |
| 1.1.3 Ⅲ族氮化物材料在SAWs器件领域的应用 | 第24-26页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料的晶体结构和性质 | 第26-31页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物材料的晶体结构 | 第26-27页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物材料的晶格常数和禁带宽度 | 第27-28页 |
| 1.2.3 Ⅲ族氮化物材料的极化效应 | 第28-31页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物材料的制备方法 | 第31-32页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 MOCVD外延生长技术 | 第40-55页 |
| 2.1 MOCVD生长系统 | 第40-46页 |
| 2.1.1 源材料输运分系统 | 第41-43页 |
| 2.1.2 反应室分系统 | 第43-44页 |
| 2.1.3 生长控制分系统 | 第44页 |
| 2.1.4 原位监测分系统 | 第44-45页 |
| 2.1.5 尾气处理分系统 | 第45-46页 |
| 2.2 MOCVD外延生长模式及衬底选择 | 第46-49页 |
| 2.2.1 外延生长的基本模式 | 第46-47页 |
| 2.2.2 外延衬底的选择 | 第47-49页 |
| 2.3 MOCVD外延Ⅲ族氮化物 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第三章 GaN基LED外延生长及电学特性分析 | 第55-78页 |
| 3.1 Al_2O_3衬底GaN基LED外延层表面内应力及波长均匀性的优化 | 第55-60页 |
| 3.1.1 Al_2O_3衬底GaN基LED结构的生长 | 第56-57页 |
| 3.1.2 外延层表面内应力及波长均匀性研究 | 第57-60页 |
| 3.2 新型HVPE-GaN衬底上LED外延结构的生长 | 第60-68页 |
| 3.2.1 HVPE-GaN衬底LED结构的生长 | 第60-62页 |
| 3.2.2 测试结果与分析 | 第62-68页 |
| 3.3 GaN基LED结构I-V曲线测量及ESD失效特性分析 | 第68-74页 |
| 3.3.1 LED外延低温p型GaN层生长条件对I-V曲线的影响 | 第68-71页 |
| 3.3.2 ESD的极限测试 | 第71-73页 |
| 3.3.3 ESD失效特性的分析 | 第73-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMTs结构的生长及SAWs amplification的设计 | 第78-95页 |
| 4.1 GaN基AlGaN/GaN HEMTs结构的生长工艺研究 | 第78-82页 |
| 4.1.1 GaN基HEMTs外延生长 | 第78-79页 |
| 4.1.2 生长压力及载气对AlGaN势垒层的影响 | 第79-82页 |
| 4.2 基于AlGaN/GaN HEMTs结构的SAWs amplification设计、测量 | 第82-91页 |
| 4.2.1 SAWs amplification理论计算 | 第83-89页 |
| 4.2.2 SAWs amplification的实验设计与分析 | 第89-91页 |
| 4.3 本章小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第五章 SiC衬底GaN及AlN的MOCVD外延生长 | 第95-105页 |
| 5.1 SiC衬底上GaN的外延生长研究 | 第95-100页 |
| 5.1.1 SiC衬底GaN外延生长工艺 | 第95-96页 |
| 5.1.2 GaN外延层生长模式及结晶质量研究 | 第96-100页 |
| 5.2 SiC衬底上AlN的外延生长研究 | 第100-102页 |
| 5.3 本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第六章 基于AlN/SiC的SAWs滤波器及SAWs-PnCs滤波器的模拟研究 | 第105-126页 |
| 6.1 基于AlN/6H-SiC的SAWs滤波器的模拟 | 第106-114页 |
| 6.1.1 基于LiNbO_3的SAWs滤波器的模拟与实验 | 第106-110页 |
| 6.1.2 基于AlN/SiC的SAWs滤波器的模拟 | 第110-114页 |
| 6.2 压电材料SAWs-PnCs滤波器的模拟研究 | 第114-118页 |
| 6.2.1 SAWs-PnCs滤波器的模型建立 | 第114-115页 |
| 6.2.2 SAWs-PnCs滤波器能带结构及传输特性研究 | 第115-118页 |
| 6.3 本章小结 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-126页 |
| 第七章 主要结论、创新点及有待进一步开展的工作 | 第126-129页 |
| 7.1 主要结论 | 第126-127页 |
| 7.2 创新点 | 第127-128页 |
| 7.3 下一步工作 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第131-133页 |
| 附录 | 第133-146页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第146页 |
