| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 IGBT的发展简介 | 第10-13页 |
| 1.2 RC-IGBT的发展简介 | 第13-16页 |
| 1.3 功率P-i-N二极管简介 | 第16-20页 |
| 1.3.1 功率P-i-N二极管的反向阻断状态 | 第16-18页 |
| 1.3.2 功率P-i-N二极管的正向导通状态 | 第18-19页 |
| 1.3.3 功率P-i-N二极管的动态特性 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 1700V传统RC-IGBT的仿真 | 第21-35页 |
| 2.1 传统RC-IGBT的Snapback现象 | 第21-24页 |
| 2.2 1700V传统RC-IGBT的仿真 | 第24-31页 |
| 2.2.1 1700V传统RC-IGBT和常规IGBT的仿真比较 | 第25-29页 |
| 2.2.2 传统RC-IGBT在不同N-anode长度下的仿真比较 | 第29-31页 |
| 2.3 RC-IGBT的耐压分析 | 第31-34页 |
| 2.3.1 常规IGBT和传统RC-IGBT在正向阻断状态下的耐压模型 | 第31-32页 |
| 2.3.2 传统RC-IGBT在不同N-anode长度下的正向耐压的仿真 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 新型RC-IGBT结构的提出 | 第35-44页 |
| 3.1 新型RC-IGBT的结构以及优化导通特性的原理 | 第35-36页 |
| 3.2 新型 1700V RC-IGBT特性的仿真 | 第36-40页 |
| 3.3 新型RC-IGBT元胞部分N-anode长度对关断特性的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.1 新型RC-IGBT在不同元胞N-anode长度下的关断特性 | 第40-41页 |
| 3.3.2 新型RC-IGBT元胞部分是否可以不要N-anode的讨论 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 新型RC-IGBT反向恢复特性的研究 | 第44-59页 |
| 4.1 新型RC-IGBT反向恢复失效的理论分析 | 第44-46页 |
| 4.2 新型RC-IGBT反向恢复的仿真 | 第46-52页 |
| 4.2.1 反向恢复的电路模型的建立 | 第46-47页 |
| 4.2.2 反向恢复成功和失效两种情况下的结果 | 第47-52页 |
| 4.3 新型RC-IGBT反向恢复失效问题的解决途径 | 第52-57页 |
| 4.3.1 增加元胞部分N-anode长度 | 第52-54页 |
| 4.3.2 减小结终端部分N-anode掺杂浓度 | 第54-55页 |
| 4.3.3 减小结终端部分N-anode长度 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第59页 |
| 5.2 工作展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
