| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 主要符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-29页 |
| 1.1 光刻技术研究背景 | 第14-17页 |
| 1.2 传统光刻分辨力增强方法 | 第17-21页 |
| 1.2.1 相移掩模 | 第17-18页 |
| 1.2.2 邻近效应校正 | 第18-19页 |
| 1.2.3 离轴照明 | 第19-20页 |
| 1.2.4 浸没式光刻 | 第20-21页 |
| 1.3 超分辨光刻研究进展 | 第21-26页 |
| 1.3.1 衍射极限 | 第21-22页 |
| 1.3.2 超分辨光刻技术 | 第22-23页 |
| 1.3.3 表面等离子体光刻 | 第23-26页 |
| 1.4 本文的主要工作与创新 | 第26-27页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第27-29页 |
| 第二章 表面等离子体光刻的理论基础 | 第29-45页 |
| 2.1 光刻工艺概述 | 第29-34页 |
| 2.1.1 光刻系统的组成 | 第29-31页 |
| 2.1.2 光刻的曝光方式 | 第31-32页 |
| 2.1.3 光刻的工艺步骤 | 第32-33页 |
| 2.1.4 光刻图形的重要参量 | 第33-34页 |
| 2.2 表面等离子体的基本理论 | 第34-44页 |
| 2.2.1 倏逝波 | 第35-37页 |
| 2.2.2 表面等离子体的存在条件 | 第37-39页 |
| 2.2.3 表面等离子体的特征参数 | 第39-40页 |
| 2.2.4 表面等离子体的色散特性 | 第40-42页 |
| 2.2.5 表面等离子体的激发方式 | 第42-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 基于表面等离子体的成像光刻研究 | 第45-62页 |
| 3.1 基于平面多层膜结构的亚波长光栅成像光刻研究 | 第45-53页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第45-47页 |
| 3.1.2 理论计算 | 第47-49页 |
| 3.1.3 模拟分析 | 第49-51页 |
| 3.1.4 实验验证 | 第51-53页 |
| 3.2 基于曲平混合膜层结构的超衍射缩小成像光刻研究 | 第53-61页 |
| 3.2.1 研究背景 | 第53-55页 |
| 3.2.2 设计原理 | 第55-56页 |
| 3.2.3 模拟分析 | 第56-60页 |
| 3.2.4 结果讨论 | 第60-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 基于表面等离子体的干涉光刻研究 | 第62-84页 |
| 4.1 研究背景 | 第62-64页 |
| 4.2 双束等离子体干涉光刻理论和实验 | 第64-74页 |
| 4.2.1 双束等离子体干涉光刻原理和模拟效果 | 第64-68页 |
| 4.2.2 样品制备与曝光实验 | 第68-71页 |
| 4.2.3 实验结果分析 | 第71-73页 |
| 4.2.4 双束等离子体干涉产生极深亚波长周期图形 | 第73-74页 |
| 4.3 多束等离子体干涉光刻理论和实验 | 第74-77页 |
| 4.3.1 四束等离子体干涉光刻结构设计 | 第74-75页 |
| 4.3.2 样品制备和曝光实验 | 第75-76页 |
| 4.3.3 六束等离子体干涉光刻结构设计 | 第76-77页 |
| 4.4 表面等离子体干涉图形样式分析 | 第77-82页 |
| 4.4.1 线阵列图形 | 第78-79页 |
| 4.4.2 周期和准周期图形 | 第79-81页 |
| 4.4.3 非周期图形 | 第81-82页 |
| 4.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 纳米膜层表面粗糙度检测及其对光刻效果的影响分析 | 第84-107页 |
| 5.1 表面等离子体共振腔结构膜层表面粗糙度检测 | 第84-91页 |
| 5.1.1 膜层双表面粗糙度检测 | 第85-88页 |
| 5.1.2 衬底材料对膜层表面粗糙度影响分析 | 第88-91页 |
| 5.2 膜层粗糙度对光刻图形质量影响分析 | 第91-106页 |
| 5.2.1 表面粗糙度的影响效果 | 第93-97页 |
| 5.2.2 基本原理分析 | 第97-102页 |
| 5.2.3 掩模缺陷对光刻图形质量的影响 | 第102-104页 |
| 5.2.4 分析结果验证 | 第104-106页 |
| 5.3 本章小结 | 第106-107页 |
| 第六章 总结 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-122页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第122-123页 |
