当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
AlGaAs/GaAs HEMT电磁脉冲损伤机理研究
GaN材料位错按深度分布的表征及位错与点缺陷关系的研究
近晶格匹配InAlN/GaN材料结晶质量和电学特性相关性研究
高K栅介质Ge MOS电容特性与制备研究
SiN应力膜研究与工艺实现
BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化
辐射加热GaN-MOCVD反应室温度场仿真与设计
雪崩光电二极管的噪声测试及应用研究
掺杂石墨烯的电子结构与光学性质研究
BiFeO3-基薄膜的低温制备及漏电抑制
ZnO、MgZnO异质结紫外光发射器件的研究
氮化镓高电子迁移率晶体管微波特性表征及微波功率放大器研究
天顶仪面阵CCD半导体温控系统的设计与实现
电阻式存储器特性测试仪及应用研究
氧化铅薄膜的制备及其X射线光电导特性的研究
硅光电探测器特性分析与实验研究
基于两种有机材料的薄膜器件界面电学特性研究
PECVD设备加热系统分析及优化
一种基于电荷泵的白光LED驱动器的设计
晶体生长辅助控制系统的研究
Si衬底GaN基蓝光LED静电特性研究
SiGe HBT的工艺集成设计
看板系统在半导体封装测试厂的优化设计
深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的研究
Ge/Si异质结及其光电探测器特性研究
ZnO微米花与铋系半导体的制备及光催化性能研究
连续激光作用下半导体材料热效应的数值分析
MOCVD多通道高温测量系统的研制
半导体TEC测试系统的研发
同步辐射光电发射方法研究ZnO基稀磁半导体带隙杂化电子态及其磁性关联
利用表面等离子体增强绿光LED的发光
提高3.3kV功率快恢复二极管动态雪崩耐量的仿真研究
InAlN/AlN/GaNHEMT的研制与特性仿真
共振腔发光二极管结构优化与频率特性研究
面向生物芯片荧光检测的微体积高强度多LED集成技术与工艺设备研究
基于小分子掺杂的高分子有机半导体光伏器件性能研究
RPCVD生长应变Si/应变SiGe薄膜的研究
氮化镓异质结电子辐照行为的研究
大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状的数值分析
双面抛光去除非均匀性研究
界面钝化对Gd2O3掺杂HfO2高k薄膜电性能影响的研究
N离子注入ZnO:Mn薄膜的特性研究
n型掺杂电子传输层的高效有机电致发光器件
基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管静态特性研究
高光效GaN基LED芯片的设计与制备
深亚微米CMOS总剂量辐照效应温度模型研究
非化学计量比CaCu3Ti4O12陶瓷电性能研究
TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备与性能研究
基于一维微纳结构的记忆与光电器件
并苯衍生物合成及其性质研究
上一页
[126]
[127]
[128]
[129]
[130]
下一页