| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·硅片的重要性及其发展 | 第10-11页 |
| ·硅抛光片制备工艺 | 第11-12页 |
| ·化学机械抛光(CMP) | 第12页 |
| ·硅片抛光片内非均匀性研究 | 第12-20页 |
| ·Preston方程 | 第13-14页 |
| ·硅片抛光片内非均匀性的模型研究 | 第14-16页 |
| ·硅片抛光片内非均匀性的实验研究 | 第16-20页 |
| ·硅片表面几何参数 | 第20页 |
| ·本文研究的内容与意义 | 第20-22页 |
| 2 实验材料与设备 | 第22-25页 |
| ·实验材料 | 第22页 |
| ·实验与测试设备 | 第22-23页 |
| ·模拟软件介绍 | 第23-25页 |
| ·Matlab软件介绍 | 第23页 |
| ·COMSOL Multiphysics软件介绍 | 第23-25页 |
| 3 双面抛光运动轨迹模型 | 第25-31页 |
| ·双面抛光运动轨迹方程 | 第25-27页 |
| ·硅片的自转方程 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 4 基于运动轨迹方程的抛光去除速率及去除非均匀性分析 | 第31-45页 |
| ·运动轨迹分布均匀性分析 | 第31-35页 |
| ·硅片相对于抛光垫运动轨迹分布规律 | 第32-34页 |
| ·硅片相对于游轮片偏心距离对运动轨迹分布的影响 | 第34-35页 |
| ·基于运动轨迹的抛光去除速率分析 | 第35-40页 |
| ·硅片抛光运动轨迹长度与去除量关系 | 第35-38页 |
| ·硅片抛光去除速率实验 | 第38-40页 |
| ·基于运动轨迹的抛光去除非均匀性分析 | 第40-44页 |
| ·抛光去除非均匀性分析 | 第40-42页 |
| ·硅片抛光去除非均匀性实验 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 双面抛光硅片表面应力分布及Edge Roll-off分析 | 第45-65页 |
| ·二维轴对称准静态模型 | 第46-47页 |
| ·模拟参数与线路 | 第47-48页 |
| ·硅片表面von Mises应力分布 | 第48-49页 |
| ·有限元分析结果与讨论 | 第49-58页 |
| ·抛光压力对von Mises应力分布的影响 | 第49-51页 |
| ·抛光垫参数对von Mises应力分布的影响 | 第51-55页 |
| ·游轮片参数对von Mises应力分布的影响 | 第55-58页 |
| ·实验 | 第58-63页 |
| ·实验条件 | 第58-59页 |
| ·实验结果与分析 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |