| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·RCLED 概述 | 第10-12页 |
| ·RCLED 的主要应用 | 第12-16页 |
| ·POF 光纤通信的理想光源—650nm RCLED | 第12-14页 |
| ·850-880nm RCLED | 第14-15页 |
| ·980nm RCLED | 第15页 |
| ·1300-1500nm RCLED | 第15-16页 |
| ·RCLED 国内外研究现状 | 第16-19页 |
| ·效率提高 | 第16-17页 |
| ·调制速率提高 | 第17-19页 |
| ·温度特性改善 | 第19页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第2章 谐振腔发光二极管的理论基础 | 第22-44页 |
| ·RCLED 简介 | 第22-23页 |
| ·RCLED 基本结构 | 第22页 |
| ·RCLED 的特点 | 第22-23页 |
| ·F-P 微腔理论 | 第23-33页 |
| ·微腔效应概述 | 第23-24页 |
| ·介质层中偶极子的非自发辐射 | 第24-31页 |
| ·Purcell 效应 | 第31-33页 |
| ·RCLED 的 DBR 数值模拟 | 第33-42页 |
| ·薄膜光学理论 | 第33-37页 |
| ·相关模拟计算 | 第37-40页 |
| ·RCLED 设计原则 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第3章 氧化限制型RCLED的制备工艺 | 第44-56页 |
| ·常规制备工艺简介 | 第44-48页 |
| ·清洗 | 第44页 |
| ·光刻 | 第44-46页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第46-47页 |
| ·溅射 | 第47-48页 |
| ·关键工艺—选择性湿法氧化 | 第48-52页 |
| ·选择性湿法氧化基本原理 | 第48-50页 |
| ·湿法氧化装置 | 第50页 |
| ·湿法氧化速率的影响因素 | 第50-52页 |
| ·器件制作工艺流程 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 RCLED的结构优化 | 第56-70页 |
| ·RCLED 电极优化 | 第56-62页 |
| ·电极设计 | 第56-57页 |
| ·电极制作工艺优化 | 第57-59页 |
| ·两种电极结构的器件测试与分析 | 第59-62页 |
| ·RCLED 氧化限制结构优化 | 第62-69页 |
| ·氧化结构设计 | 第62-63页 |
| ·不同氧化结构的器件测试与分析 | 第63-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 RCLED 频率特性研究 | 第70-80页 |
| ·RCLED 本征频率调制响应 | 第70-74页 |
| ·RCLED 本征调制响应理论基础 | 第70-71页 |
| ·提高 RCLED 本征频率调制带宽的方法 | 第71-72页 |
| ·RCLED 本征频率调制带宽模拟 | 第72-74页 |
| ·氧化限制型 RCLED 寄生频率响应 | 第74-78页 |
| ·氧化限制型 RCLED 寄生调制响应理论基础 | 第74-75页 |
| ·氧化限制型 RCLED 串联电阻分析 | 第75-77页 |
| ·氧化限制型 RCLED 寄生电容分析 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 攻读硕士期间所发表的学术论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |