| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·功率半导体器件的作用和影响 | 第8页 |
| ·二极管反向恢复特性及影响 | 第8-11页 |
| ·高压快恢复二极管的技术现状和主要问题 | 第11-12页 |
| ·本文的主要研究内容和意义 | 第12-13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 硅高压 FWD 的动态雪崩问题 | 第14-34页 |
| ·动态雪崩机理及其影响 | 第14-23页 |
| ·PiN 二极管 | 第14页 |
| ·动态雪崩原理 | 第14-15页 |
| ·一度和二度动态雪崩 | 第15-18页 |
| ·三度动态雪崩 | 第18-22页 |
| ·动态雪崩的影响 | 第22-23页 |
| ·抗动态雪崩技术现状 | 第23-32页 |
| ·改善电流分布均匀性 | 第23-27页 |
| ·降低阴极侧 nn+结电场强度峰值 | 第27-30页 |
| ·降低阳极侧 pn 结电场强度峰值 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 器件仿真工具简介及模型选取 | 第34-42页 |
| ·基本方程描述 | 第34-35页 |
| ·物理模型的影响 | 第35-39页 |
| ·载流子产生复合模型的选取 | 第36页 |
| ·迁移率模型 | 第36-38页 |
| ·碰撞电离模型 | 第38-39页 |
| ·禁带变窄模型 BGN | 第39页 |
| ·边界条件选取 | 第39-40页 |
| ·数值求解方法 | 第40-41页 |
| ·离散化 | 第40页 |
| ·求解方法 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 提高 3.3kV 功率 FWD 动态雪崩耐量的方法及仿真分析 | 第42-70页 |
| ·降低阳极发射效率 | 第43-50页 |
| ·基本结构参数和仿真电路 | 第43-44页 |
| ·不同阳极发射效率 | 第44-49页 |
| ·耦合热方程 | 第49-50页 |
| ·引入寿命控制. | 第50-51页 |
| ·增加基区宽度. | 第51-53页 |
| ·引入缓冲层结构. | 第53-55页 |
| ·结终端的影响. | 第55-66页 |
| ·静态击穿特性 | 第55页 |
| ·动态特性 | 第55-59页 |
| ·增加电阻区宽度 | 第59-61页 |
| ·引入寿命控制 | 第61-64页 |
| ·引入 P 型缓冲层结构 | 第64-66页 |
| ·最终解决方案 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |