| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·前言 | 第9页 |
| ·GaN基LED器件发展历史 | 第9-10页 |
| ·GaN生长衬底的选择 | 第10-11页 |
| ·静电放电及其危害 | 第11-14页 |
| ·静电放电产生的机理 | 第11-12页 |
| ·静电放电的危害 | 第12页 |
| ·静电危害的特点 | 第12-13页 |
| ·ESD试验模型 | 第13页 |
| ·静电的影响因素 | 第13-14页 |
| ·LED抗静电性能研究 | 第14-15页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 刻蚀深度对Si衬底GaN基LED静电及其他性能的影响 | 第20-29页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·与LED相关的几个基本概念 | 第21-22页 |
| ·LED所涉及的波长概念 | 第21页 |
| ·LED相关的几个效率 | 第21-22页 |
| ·刻蚀深度对Si衬底GaN基LED性能影响研究 | 第22-26页 |
| ·LED测试装置 | 第22页 |
| ·不同刻蚀深度对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响 | 第22-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 基板厚度和钝化对Si衬底GaN基LED静电及其他性能的影响 | 第29-48页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·不同基板厚度对Si衬底GaN基LED性能的影响 | 第29-33页 |
| ·实验 | 第29-30页 |
| ·不同基板厚度Si衬底GaN基LED老化情况比较 | 第30-33页 |
| ·钝化对Si衬底GaN基LED性能的影响 | 第33-44页 |
| ·钝化的简单介绍 | 第33页 |
| ·SiO_对Si衬底GaN基LED的影响 | 第33-42页 |
| ·SiN_x对Si衬底GaN基LED的影响 | 第42-44页 |
| ·Si衬底GaN基LED芯片在740mA大电流时的老化情况 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 反向偏置对Si衬底GaN基LED静电的影响 | 第48-60页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·Si衬底GaN基LED抗静电随老化时间的变化 | 第48-54页 |
| ·Si衬底GaN基LED芯片抗静电随老化时间的变化 | 第48-50页 |
| ·封装后的GaN/Si LED抗静电随老化时间的变化 | 第50-54页 |
| ·反向偏置对Si衬底GaN基LED静电的影响 | 第54-56页 |
| ·反向偏置时GaN/Si LED芯片抗静电能力的变化情况 | 第55-56页 |
| ·反向偏置时Si衬底GaN基LED管子抗静电能力的变化情况 | 第56页 |
| ·静电对Si衬底GaN基LED性能的影响 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第64页 |
