| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 符号说明 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·论文研究的背景 | 第8-11页 |
| ·论文的来源及意义 | 第8页 |
| ·光电探测器的基本原理及发展 | 第8-10页 |
| ·光电探测器的基本原理 | 第8-9页 |
| ·光电探测器的发展 | 第9-10页 |
| ·光电探测器的应用选择 | 第10-11页 |
| ·论文研究内容及论文安排 | 第11-13页 |
| 第二章 硅光电探测器的主要原理 | 第13-26页 |
| ·硅光电探测器的基本原理 | 第13-14页 |
| ·硅光电探测器的等效电路图 | 第14-15页 |
| ·硅光电探测器的电流与电压特性 | 第15-16页 |
| ·硅光电探测器的光谱响应 | 第16页 |
| ·硅光电探测器的温度特性 | 第16-17页 |
| ·PIN光电二极管的基本工作原理 | 第17-19页 |
| ·雪崩二极管(APD)的基本工作原理 | 第19-22页 |
| ·硅光电倍增管(SiPM)的基本工作原理 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 PIN光电二极管,雪崩二极管以及硅光电倍增管的主要特性 | 第26-44页 |
| ·PIN光电二极管的特性分析 | 第26-30页 |
| ·反向偏压 | 第26-27页 |
| ·响应速度以及频率响应 | 第27-30页 |
| ·雪崩二极管的特性分析 | 第30-35页 |
| ·暗电流与噪声 | 第30-32页 |
| ·增益与反向偏压 | 第32-33页 |
| ·光谱响应 | 第33页 |
| ·终端电容 | 第33-34页 |
| ·响应速度 | 第34-35页 |
| ·硅光电倍增管的特性分析 | 第35-43页 |
| ·硅光电倍增管的增益以及它对温度和反向偏压的灵敏度 | 第35-36页 |
| ·光子探测效率(PDE) | 第36页 |
| ·暗计数和寄生脉冲 | 第36-37页 |
| ·光学串扰 | 第37-38页 |
| ·过量噪声因数 | 第38-39页 |
| ·时间响应 | 第39页 |
| ·降压电阻的设计 | 第39-40页 |
| ·被动降压 | 第39-40页 |
| ·主动降压 | 第40页 |
| ·动态范围 | 第40-41页 |
| ·线性响应 | 第41-42页 |
| ·蓝光和紫外线灵敏度 | 第42-43页 |
| ·PIN光电二极管,雪崩二极管以及硅光电倍增管之间的主要区别 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 探测器探测性能实验 | 第44-64页 |
| ·基本的实验装置 | 第44页 |
| ·光学中性滤光片的校准 | 第44-48页 |
| ·在直流电流和交流电压驱动下的激光的功率的校准 | 第48-51页 |
| ·直流驱动电流 | 第48-49页 |
| ·交流驱动电压 | 第49-51页 |
| ·三个光电探测器的测试 | 第51-62页 |
| ·基本实验原理 | 第51-55页 |
| ·PIN光电二极管的实验结果 | 第55-57页 |
| ·雪崩二极管的实验结果 | 第57-61页 |
| ·硅光电倍增管 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 研究工作总结与展望 | 第64-65页 |
| ·主要研究成果 | 第64页 |
| ·研究工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第69-70页 |
