| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·SIGE BICMOS 的技术优势 | 第10-12页 |
| ·SIGE HBT 的发展状况 | 第12-13页 |
| ·论文内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 SiGe 材料特征及 SIGE HBT 的基本原理 | 第15-23页 |
| ·SiGe 材料特征 | 第15-16页 |
| ·SIGE HBT 的基本原理 | 第16-19页 |
| ·SiGe HBT 的特有效应 | 第19-21页 |
| ·SiGe HBT 的优点 | 第21-23页 |
| 第三章 0.35um BiCMOS 工艺流程设计 | 第23-42页 |
| ·0.35 um BiCMOS 工艺流程设计简介 | 第23-32页 |
| ·0.35 um BiCMOS 工艺关键工艺技术 | 第32-42页 |
| ·深沟槽隔离刻蚀技术 | 第32-35页 |
| ·发射极形成技术 | 第35-38页 |
| ·金属铝线剥胶技术 | 第38-42页 |
| 第四章 提高 SiGe HBT 晶体管性能的工艺集成优化设计 | 第42-57页 |
| ·SIGe.HBT 的基本结构优化设计 | 第42-45页 |
| ·基区的纵向优化设计 | 第42-43页 |
| ·发射区的纵向设计 | 第43-44页 |
| ·集电区的纵向设计 | 第44页 |
| ·器件的横向结构尺寸设计 | 第44-45页 |
| ·增加SiGe HBT 晶体管器件线性的优化方法 | 第45-50页 |
| ·SiGe HBT 器件线性的定义 | 第45页 |
| ·提高 SiGe HBT 晶体管器件线性的基本构想 | 第45-46页 |
| ·提高 SiGe HBT 晶体管器件线性的具体实施方式 | 第46-50页 |
| ·锗硅合金层生长前氧化膜微残留缺陷降低的综合优化 | 第50-57页 |
| ·引起SIGE 生长前氧化膜微残留缺陷的主要因素 | 第53-55页 |
| ·SIGE 生长前工艺流程调整方法 | 第55-57页 |
| 第五章 0.35um SiGe BiCMOS 工艺元件介绍 | 第57-63页 |
| ·SIGe HBT | 第57-58页 |
| ·CMOS | 第58-59页 |
| ·无源器件 | 第59-63页 |
| ·电阻 | 第59-60页 |
| ·电感 | 第60-61页 |
| ·电容 | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
