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ZnO、MgZnO异质结紫外光发射器件的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
引言第10-12页
第1章 前言第12-31页
   ·ZnO 及 MgZnO 合金材料与半导体紫外光发射器件简介第12-19页
     ·ZnO 及 MgZnO 合金材料的基本性质第12-14页
     ·半导体紫外光发射器件的研究现状与进展第14-15页
     ·ZnO 基光发射器件的研究进展第15-19页
   ·ZnO 基材料与器件的常用制备方法及表征手段第19-27页
     ·脉冲激光沉积技术简介第19-22页
     ·其他几种常用的薄膜沉积技术第22-23页
     ·水热合成方法简介第23-24页
     ·薄膜和纳米材料的主要表征手段和光发射器件的基本测试第24-27页
   ·本论文的研究内容和意义第27-28页
 参考文献第28-31页
第2章 脉冲激光沉积制备 MgZnO 合金薄膜及物性研究第31-43页
   ·MgZnO 合金靶材的制备与 MgZnO 薄膜的生长第31-32页
   ·生长条件和靶材组分对 MgZnO 薄膜性质的影响第32-40页
     ·衬底温度对 MgZnO 薄膜性质的影响第32-34页
     ·氧气压强对 MgZnO 薄膜性质的影响第34-38页
     ·靶材组分对 MgZnO 薄膜性质的影响第38-40页
   ·本章小结第40-41页
 参考文献第41-43页
第3章 ZnO&MgZnO 基 p-n 异质结紫外光发射器件的制备与性质研究第43-54页
   ·引言第43页
   ·p-GaN/n-ZnO 异质结器件电致发光的研究第43-46页
   ·p-GaN/n-Mg_xZn_(1-x)O 异质结器件电致发光的研究第46-50页
   ·本章小结第50-51页
 参考文献第51-54页
第4章 基于 ZnO&MgZnO 薄膜的 MIS 结紫外光发射器件的制备与性质研究第54-77页
   ·引言第54页
   ·波长可调的 MgZnO 合金薄膜基 MIS 结紫外光发射器件第54-68页
     ·ZnO 薄膜基 MIS 结电泵浦随机激光器件第54-63页
       ·ZnO 薄膜基 MIS 结光发射器件的制备第55-59页
         ·Si 衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结制备与物性研究第55-57页
         ·GaN 衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结制备与物性研究第57-59页
       ·ZnO 薄膜基 MIS 结光发射器件的电泵浦随机激光第59-63页
     ·源于 MgZnO 薄膜的波长可调的紫外电致发光和随机激光第63-68页
       ·MgZnO 薄膜基 MIS 结光发射器件的制备第63-64页
       ·MgZnO 薄膜波长可调的电致发光和随机激光第64-65页
       ·MgZnO 薄膜基 MIS 结器件电致发光机制的讨论第65-68页
   ·柔性锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结紫外光发射器件第68-73页
     ·锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结器件的制备第69-70页
     ·锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结的电学输运性质和电致发光第70-72页
     ·锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结器件的电学存储和记忆性质第72-73页
   ·本章小结第73-74页
 参考文献第74-77页
第5章 基于 ZnO/MgO 核壳纳米线阵列的低阈值、高效率的 MIS 结激光二极管第77-93页
   ·ZnO 纳米线阵列的水热合成与物性研究第77-79页
     ·前驱体的制备与纳米线的生长第78页
     ·前驱体浓度对 ZnO 纳米线形貌、结晶和光学性质的影响第78-79页
     ·晶种层对 ZnO 纳米线形貌、结晶和光学性质的影响第79页
     ·本节小结第79页
   ·ZnO 纳米线基 MIS 结器件及薄膜对比器件的制备第79-82页
   ·ZnO 纳米线基 MIS 结器件的光学和电学输运性质第82-84页
   ·ZnO 纳米线基 MIS 结器件的电泵浦受激发射和机制讨论第84-89页
   ·ZnO 纳米线基 MIS 结器件与薄膜对比器件的性能比较第89-90页
   ·本章小结第90-91页
 参考文献第91-93页
第6章 总结第93-94页
致谢第94-95页
在学期间公开发表论文及参加学术会议情况第95页

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