摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
引言 | 第10-12页 |
第1章 前言 | 第12-31页 |
·ZnO 及 MgZnO 合金材料与半导体紫外光发射器件简介 | 第12-19页 |
·ZnO 及 MgZnO 合金材料的基本性质 | 第12-14页 |
·半导体紫外光发射器件的研究现状与进展 | 第14-15页 |
·ZnO 基光发射器件的研究进展 | 第15-19页 |
·ZnO 基材料与器件的常用制备方法及表征手段 | 第19-27页 |
·脉冲激光沉积技术简介 | 第19-22页 |
·其他几种常用的薄膜沉积技术 | 第22-23页 |
·水热合成方法简介 | 第23-24页 |
·薄膜和纳米材料的主要表征手段和光发射器件的基本测试 | 第24-27页 |
·本论文的研究内容和意义 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-31页 |
第2章 脉冲激光沉积制备 MgZnO 合金薄膜及物性研究 | 第31-43页 |
·MgZnO 合金靶材的制备与 MgZnO 薄膜的生长 | 第31-32页 |
·生长条件和靶材组分对 MgZnO 薄膜性质的影响 | 第32-40页 |
·衬底温度对 MgZnO 薄膜性质的影响 | 第32-34页 |
·氧气压强对 MgZnO 薄膜性质的影响 | 第34-38页 |
·靶材组分对 MgZnO 薄膜性质的影响 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-43页 |
第3章 ZnO&MgZnO 基 p-n 异质结紫外光发射器件的制备与性质研究 | 第43-54页 |
·引言 | 第43页 |
·p-GaN/n-ZnO 异质结器件电致发光的研究 | 第43-46页 |
·p-GaN/n-Mg_xZn_(1-x)O 异质结器件电致发光的研究 | 第46-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-54页 |
第4章 基于 ZnO&MgZnO 薄膜的 MIS 结紫外光发射器件的制备与性质研究 | 第54-77页 |
·引言 | 第54页 |
·波长可调的 MgZnO 合金薄膜基 MIS 结紫外光发射器件 | 第54-68页 |
·ZnO 薄膜基 MIS 结电泵浦随机激光器件 | 第54-63页 |
·ZnO 薄膜基 MIS 结光发射器件的制备 | 第55-59页 |
·Si 衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结制备与物性研究 | 第55-57页 |
·GaN 衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结制备与物性研究 | 第57-59页 |
·ZnO 薄膜基 MIS 结光发射器件的电泵浦随机激光 | 第59-63页 |
·源于 MgZnO 薄膜的波长可调的紫外电致发光和随机激光 | 第63-68页 |
·MgZnO 薄膜基 MIS 结光发射器件的制备 | 第63-64页 |
·MgZnO 薄膜波长可调的电致发光和随机激光 | 第64-65页 |
·MgZnO 薄膜基 MIS 结器件电致发光机制的讨论 | 第65-68页 |
·柔性锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结紫外光发射器件 | 第68-73页 |
·锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结器件的制备 | 第69-70页 |
·锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结的电学输运性质和电致发光 | 第70-72页 |
·锌箔衬底的 ZnO 薄膜基 MIS 结器件的电学存储和记忆性质 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
第5章 基于 ZnO/MgO 核壳纳米线阵列的低阈值、高效率的 MIS 结激光二极管 | 第77-93页 |
·ZnO 纳米线阵列的水热合成与物性研究 | 第77-79页 |
·前驱体的制备与纳米线的生长 | 第78页 |
·前驱体浓度对 ZnO 纳米线形貌、结晶和光学性质的影响 | 第78-79页 |
·晶种层对 ZnO 纳米线形貌、结晶和光学性质的影响 | 第79页 |
·本节小结 | 第79页 |
·ZnO 纳米线基 MIS 结器件及薄膜对比器件的制备 | 第79-82页 |
·ZnO 纳米线基 MIS 结器件的光学和电学输运性质 | 第82-84页 |
·ZnO 纳米线基 MIS 结器件的电泵浦受激发射和机制讨论 | 第84-89页 |
·ZnO 纳米线基 MIS 结器件与薄膜对比器件的性能比较 | 第89-90页 |
·本章小结 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-93页 |
第6章 总结 | 第93-94页 |
致谢 | 第94-95页 |
在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第95页 |