摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-10页 |
1 绪论 | 第10-29页 |
·ZnO 基本性质及应用 | 第10-14页 |
·ZnO 基本性质 | 第10-11页 |
·ZnO 的缺陷 | 第11-12页 |
·ZnO 的应用前景 | 第12-14页 |
·Zn-Mn-O 体系的铁磁性研究进展 | 第14-20页 |
·稀磁半导体发展简介 | 第14-15页 |
·理论研究进展 | 第15-16页 |
·实验研究进展 | 第16-20页 |
·小结 | 第20页 |
·p-ZnO:N 研究概况 | 第20-27页 |
·ZnO 的 p 型掺杂元素及其掺杂困难 | 第20-21页 |
·N 掺杂 ZnO 的研究概况 | 第21-26页 |
·小结 | 第26-27页 |
·本文的立题依据、研究内容及特色 | 第27-29页 |
·立题依据 | 第27页 |
·研究内容 | 第27页 |
·本文特色 | 第27-29页 |
2 ZnO:(Mn,N)薄膜的制备及表征手段 | 第29-44页 |
·ZnO:Mn 薄膜的制备 | 第29-34页 |
·射频磁控溅射的原理 | 第29-31页 |
·薄膜的形成过程 | 第31-32页 |
·ZnO:Mn 薄膜的制备参数及流程 | 第32-34页 |
·N 离子注入及热退火 | 第34-37页 |
·N 离子注入原理简介 | 第34-36页 |
·热退火 | 第36-37页 |
·薄膜的表征手段 | 第37-42页 |
·X 射线衍射(XRD) | 第37页 |
·场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第37-38页 |
·双光束紫外-可见光分度计 | 第38-39页 |
·光致发光(PL) | 第39页 |
·拉曼光谱(Raman) | 第39-40页 |
·霍尔测试(Hall) | 第40-41页 |
·X 射线光电子能谱仪(XPS) | 第41-42页 |
·综合物性测量系统(PPMS) | 第42页 |
·小结 | 第42-44页 |
3 衬底温度对 ZnO:Mn 薄膜物性的影响 | 第44-50页 |
·衬底温度对薄膜结构及形貌的影响 | 第44-45页 |
·SEM 分析 | 第44页 |
·XRD 分析 | 第44-45页 |
·衬底温度对薄膜光学性质的影响 | 第45-48页 |
·透射谱分析 | 第45-46页 |
·荧光谱分析 | 第46-48页 |
·衬底温度对薄膜电学性质的影响 | 第48-49页 |
·小结 | 第49-50页 |
4 热退火对 N+注入 ZnO:Mn 薄膜物性的影响 | 第50-58页 |
·电学特性 | 第50-51页 |
·结构特性 | 第51-54页 |
·XRD 分析 | 第51-52页 |
·Raman 分析 | 第52-54页 |
·光学特性 | 第54页 |
·XPS 分析 | 第54-56页 |
·磁性分析 | 第56-57页 |
·小结 | 第57-58页 |
5 结论 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-70页 |
附录:攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |