| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·本课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·半导体照明的发展背景 | 第9页 |
| ·LED 芯片的研究意义 | 第9-10页 |
| ·LED 芯片的研究现状 | 第10-19页 |
| ·现有技术水平与技术难点 | 第10-13页 |
| ·提高 LED 芯片发光效率的现有技术 | 第13-19页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 LED 芯片制备关键技术及相关设备 | 第20-31页 |
| ·光刻工艺 | 第20-24页 |
| ·光刻工艺基本流程 | 第20-21页 |
| ·光刻胶 | 第21-23页 |
| ·光刻机 | 第23-24页 |
| ·电感耦合等离子体刻蚀技术(ICP) | 第24-27页 |
| ·等离子体刻蚀的一般过程 | 第24-26页 |
| ·影响 ICP 刻蚀速率的因素 | 第26页 |
| ·实验用 ICP 刻蚀设备 | 第26-27页 |
| ·薄膜沉积 | 第27-31页 |
| ·PECVD 沉积薄膜原理 | 第27-28页 |
| ·PECVD 薄膜生长速率及薄膜性质 | 第28-29页 |
| ·实验用 PECVD 设备 | 第29-31页 |
| 第三章 高光效 LED 芯片的反射型电流阻挡层设计 | 第31-37页 |
| ·设计原理 | 第31-34页 |
| ·电流阻挡层的设计 | 第31-33页 |
| ·分布式布拉格反射层的设计 | 第33-34页 |
| ·实验实现及数据分析 | 第34-36页 |
| ·电流阻挡层处沟槽的制作 | 第34页 |
| ·DBR 结构的制作 | 第34-35页 |
| ·实验结果及分析 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第四章 高压 LED 芯片的设计 | 第37-46页 |
| ·设计原理 | 第37-40页 |
| ·高压 LED 芯片的基本结构 | 第37-38页 |
| ·电极设计原则 | 第38-40页 |
| ·实验实现与数据分析 | 第40-45页 |
| ·高压 LED 芯片的制备流程 | 第40-42页 |
| ·侧面导光柱的设计与正梯形角度的实现 | 第42-43页 |
| ·实验结果及分析 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 总结与展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 附件 | 第53页 |