当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
掺铒富硅氧化硅薄膜光学性能研究
基于芘酰亚胺衍生物的高性能n-型有机半导体材料的合成及性能研究
钒补偿6H-SiC光导开关的模拟仿真
PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现
石墨烯/PbSe异质结的光敏特性研究
Ⅵ族元素掺杂硅材料的制备及其性能研究
微纳结构硅材料的制备及光电性能研究
黑硅材料的制备及其热退火工艺研究
二维半导体材料及其场效应结构光电器件研究
铋系半导体可见光催化剂的制备及性能表征
In2Se3纳米结构生长及性质研究
磁控溅射法制备掺铝氧化锌透明导电薄膜及其性能的研究
新型二维半导体材料磷烯吸附原子的性质研究
金属硫化物材料的制备、改性及气敏性能研究
化学气相沉积法生长石墨烯的CFD模拟研究
过共晶铝硅合金熔体电磁定向凝固过程分离硅相的研究
新型闭合式壳型电极硅探测器的电学性能研究
多场耦合下定向凝固法制备多晶硅的数值模拟
黑硅材料的制备及器件研究
铟镓锌氧化物半导体材料的研究与仿真
稀土元素掺杂二氧化钛光学材料的结构和光学特性研究
IGZO粉末固相反应合成机制研究
半导体纳米材料的可控合成及其光电应用
氢化非晶/纳米晶硅薄膜的PECVD法制备与性能研究
压力场中锗光学性质的第一性原理计算与实验分析
半导体材料的锁相载流子辐射成像
GaN基多量子阱纳米结构的制备及其发光性质研究
脉冲激光沉积制备半导体薄膜材料及其光电特性研究
双光子激发半导体纳米结构的非线性光学特性研究
氧化钒半导体功能薄膜的光电特性及其应用基础研究
共掺杂SiC基稀磁半导体的局域结构、磁和电输运性能
联苯二胺类空穴传输材料的冷结晶性和薄膜稳定性研究
某些含硫/氮杂原子的有机半导体材料分子设计及载流子传输性质理论研究
氧化铟晶体点缺陷和光学性质的研究
一维氮化镓纳米材料的制备及其光催化性能研究
过共晶铝硅合金电磁凝固过程中初生硅分离和提纯的研究
应变硅细—微观实验测量表征
花状Bi2WO6微球与Bi2WO6-Fe2O3复合物的制备及其可见光催化性能研究
具有非线性电流—电压特性的CaCu3Ti4O12功能薄膜研究
窄尺寸分布的CdSe纳米晶碗状超结构及其光伏性能的研究
含硅量子点碳化硅薄膜的退火特性研究
几种典型材料表面的双向反射特性建模与实验测量研究
TiO2纳米管同轴异质结阵列在光催化及锂硫电池方面的应用研究
基于纳米压印技术硅表面抗反射纳米周期结构的研究
基于硬质和柔性基底的p型磷化锌纳米线排列器件的光电性能研究
金纳米孔阵列对碲化镉量子点荧光增强的研究
溴化铊探测器晶片的表面处理和二次退火研究
半导体氧化镓与金属的接触特性研究
Si/SiO2界面结构模型仿真及应用研究
基于半导体的磁谐振超材料的研究
上一页
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
下一页