| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光催化的机理及应用 | 第10-15页 |
| 1.2.1 光催化的反应机理 | 第10-12页 |
| 1.2.2 光催化的应用与挑战 | 第12-15页 |
| 1.3 III-V族化合物光催化材料 | 第15-20页 |
| 1.3.1 III-V族化合物光催化材料的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.3.2 III-V族化合物的光电化学研究进展 | 第18-19页 |
| 1.3.3 III-V族化合物表/界面对光催化作用的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.4 一维结构III-V族化合物的制备方法 | 第20-22页 |
| 1.5 本研究的选题目的、意义及内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验原料、仪器及实验方法 | 第23-34页 |
| 2.1 实验药品及仪器 | 第23-25页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 一维纳米线的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.1 单晶硅基底的清洗 | 第25页 |
| 2.2.2 单晶硅基底上的催化剂制备 | 第25-26页 |
| 2.2.3 前驱体的制备 | 第26页 |
| 2.2.4 一维纳米GaN材料的制备 | 第26-27页 |
| 2.3 样品表征仪器及方法 | 第27-28页 |
| 2.4 光催化及光电化学测试仪器及方法 | 第28-34页 |
| 2.4.1 光催化性能测试仪器及方法 | 第28-32页 |
| 2.4.2 光电性能测试仪器及方法 | 第32-34页 |
| 第三章 一维氮化镓纳米线的制备及其光催化性能 | 第34-58页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 一维氮化镓纳米线的制备、形貌与结构 | 第34-46页 |
| 3.2.1 衬底对氮化镓纳米线的影响 | 第34-41页 |
| 3.2.2 前驱体对GaN纳米线的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.3 保温温度对GaN纳米线的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.4 氨气流量对GaN纳米线的影响 | 第44-45页 |
| 3.2.5 保温时间对GaN纳米线的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.6 升温气氛对GaN纳米线的影响 | 第46页 |
| 3.3 光催化剂的表征 | 第46-52页 |
| 3.4 光催化性能评价 | 第52-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章Z型氮化镓纳米线的光催化性能 | 第58-71页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 Z型纳米线的形貌与结构 | 第58-62页 |
| 4.3 Z型纳米线的光学性质 | 第62-64页 |
| 4.4 Z型纳米线的光催化及光电性能 | 第64-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 全文结论和创新点 | 第71-73页 |
| 5.1 全文结论 | 第71-72页 |
| 5.2 工作创新点 | 第72页 |
| 5.3 本工作发展建议 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |