| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-16页 |
| 1.1.1 辐射探测器概述 | 第9-10页 |
| 1.1.2 硅探测器的分类及用途 | 第10-16页 |
| 1.2 高性能硅探测器的国内外现状及发展 | 第16页 |
| 1.3 研究内容及意义 | 第16-18页 |
| 第2章 探测器的抗辐照性能研究及结构设计 | 第18-30页 |
| 2.1 辐照损伤 | 第18-19页 |
| 2.2 加固辐照探测器的耐辐射性 | 第19-20页 |
| 2.3 探测器结构设计 | 第20-24页 |
| 2.3.1 三维探测器 | 第20-22页 |
| 2.3.2 壳型电极硅探测器的结构设计 | 第22-24页 |
| 2.4 硅体材料的选择及p-n结位置的选择 | 第24-28页 |
| 2.4.1 探测器硅体材料的选择 | 第24-25页 |
| 2.4.2 探测器p-n结位置的选择 | 第25-28页 |
| 2.5 工艺制作的关键因素 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 闭合式壳型电极硅探测器的模拟仿真 | 第30-41页 |
| 3.1 TCAD建模仿真 | 第30页 |
| 3.2 基本半导体方程 | 第30-34页 |
| 3.3 基本物理模型 | 第34-36页 |
| 3.4 仿真流程 | 第36-38页 |
| 3.5 结构仿真 | 第38-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 闭合式壳型电极硅探测器的电学性能研究 | 第41-65页 |
| 4.1 电学特性理论研究 | 第41-42页 |
| 4.2 无辐照时电场分布情况 | 第42-48页 |
| 4.2.1 与三维沟槽探测器的对比 | 第42-44页 |
| 4.2.2 闭合式壳型电极硅探测器的整体的电场及电势分布情况 | 第44-47页 |
| 4.2.3 无辐照时不同电压下的电场分布与空穴浓度分布 | 第47-48页 |
| 4.3 漏电流与外加偏压的关系 | 第48-53页 |
| 4.3.1 无辐照时漏电流与外加偏压的关系 | 第48-51页 |
| 4.3.2 强辐照对漏电流的影响 | 第51-53页 |
| 4.4 电容与偏压的关系特性 | 第53-57页 |
| 4.5 电荷收集 | 第57-63页 |
| 4.5.1 Shockley-Ramo理论及比重场 | 第57-59页 |
| 4.5.2 电荷收集模型 | 第59-61页 |
| 4.5.3 电荷收集模拟仿真 | 第61-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简历、在校期间发表的学术论文及研究成果 | 第72页 |
