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IGZO粉末固相反应合成机制研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-32页
    1.1 透明氧化物半导体简介第12-16页
        1.1.1 透明氧化物半导体的分类第13页
        1.1.2 透明氧化物半导体的研究现状第13-14页
        1.1.3 透明氧化物半导体粉末的制备方法第14-16页
    1.2 InGaZnO材料简介第16-21页
        1.2.1 IGZO材料的特性第16-18页
        1.2.2 IGZO薄膜的研究现状第18-19页
        1.2.3 IGZO粉末及靶材的研究现状第19-21页
        1.2.4 国内IGZO材料研究目前存在的问题第21页
    1.3 相关计算材料理论及发展第21-30页
        1.3.1 第一性原理计算的基本原理第21-23页
        1.3.2 密度泛函理论第23-30页
            1.3.2.1 Hohenberg-Kohn定理第24-26页
            1.3.2.2 Kohn-Sham方程第26-27页
            1.3.2.3 交换-关联能第27-29页
            1.3.2.4 赝势第29-30页
            1.3.2.5 第一性原理计算的优点与不足第30页
    1.4 课题的研究目的、意义及主要内容第30-31页
        1.4.1 课题的研究目的和意义第30-31页
        1.4.2 课题研究的主要内容第31页
    1.5 本章小结第31-32页
第二章 研究路线与方法第32-42页
    2.1 研究路线第32页
    2.2 实验原料及药品第32-33页
    2.3 主要实验设备及检测设备第33-34页
        2.3.1 主要实验设备第33页
        2.3.2 主要检测设备第33-34页
    2.4 实验流程第34-35页
        2.4.1 原料粉末的计算及称量第34页
        2.4.2 原料粉末的球磨混合第34页
        2.4.3 干燥混合浆料第34-35页
        2.4.4 混合粉末的固相反应第35页
    2.5 性能测试第35-36页
        2.5.1 物相分析第35页
        2.5.2 颗粒度及形貌分析第35-36页
        2.5.3 差热分析第36页
    2.6 计算应用软件及相关理论第36-40页
        2.6.1 计算软件及模块第36页
        2.6.2 相关性质计算理论及方法第36-40页
    2.7 本章小结第40-42页
第三章 IGZO粉末的制备第42-54页
    3.1 引言第42页
    3.2 实验结果与讨论第42-52页
        3.2.1 固相反应中烧结温度对IGZO粉末物相组成及颗粒度的影响第42-45页
        3.2.2 固相反应中烧结时间对IGZO粉末物相组成及颗粒度的影响第45-47页
        3.2.3 球料比对IGZO粉末颗粒度的影响第47-48页
        3.2.4 球磨时间对粉末物相组成及颗粒度的影响第48-51页
        3.2.5 分散剂对粉末物相组成及分散性的影响第51-52页
    3.3 本章小结第52-54页
第四章 IGZO粉末合成机制的研究第54-76页
    4.1 引言第54-55页
    4.2 ZnGa_2O_4与InGaZnO_4相稳定性研究第55-72页
        4.2.1 模型的建立第55-57页
        4.2.2 计算参数第57-60页
        4.2.3 计算结果与讨论第60-72页
            4.2.3.1 生成焓和结合能第60-62页
            4.2.3.2 布居分析第62-69页
            4.2.3.3 电子结构第69-72页
    4.3 固相反应的反应路径讨论第72-74页
    4.4 本章小结第74-76页
第五章 IGZO与ITO材料性能的理论计算及比较第76-88页
    5.1 引言第76页
    5.2 模型的建立第76-78页
    5.3 计算参数第78-79页
    5.4 计算结果与讨论第79-85页
        5.4.1 电子结构第79-81页
        5.4.2 介电函数第81-83页
        5.4.3 能量损失函数第83-84页
        5.4.4 反射系数第84-85页
        5.4.5 吸收系数第85页
    5.5 本章小结第85-88页
第六章 结论第88-90页
致谢第90-92页
参考文献第92-99页
附录第99页

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