摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-32页 |
1.1 透明氧化物半导体简介 | 第12-16页 |
1.1.1 透明氧化物半导体的分类 | 第13页 |
1.1.2 透明氧化物半导体的研究现状 | 第13-14页 |
1.1.3 透明氧化物半导体粉末的制备方法 | 第14-16页 |
1.2 InGaZnO材料简介 | 第16-21页 |
1.2.1 IGZO材料的特性 | 第16-18页 |
1.2.2 IGZO薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
1.2.3 IGZO粉末及靶材的研究现状 | 第19-21页 |
1.2.4 国内IGZO材料研究目前存在的问题 | 第21页 |
1.3 相关计算材料理论及发展 | 第21-30页 |
1.3.1 第一性原理计算的基本原理 | 第21-23页 |
1.3.2 密度泛函理论 | 第23-30页 |
1.3.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24-26页 |
1.3.2.2 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
1.3.2.3 交换-关联能 | 第27-29页 |
1.3.2.4 赝势 | 第29-30页 |
1.3.2.5 第一性原理计算的优点与不足 | 第30页 |
1.4 课题的研究目的、意义及主要内容 | 第30-31页 |
1.4.1 课题的研究目的和意义 | 第30-31页 |
1.4.2 课题研究的主要内容 | 第31页 |
1.5 本章小结 | 第31-32页 |
第二章 研究路线与方法 | 第32-42页 |
2.1 研究路线 | 第32页 |
2.2 实验原料及药品 | 第32-33页 |
2.3 主要实验设备及检测设备 | 第33-34页 |
2.3.1 主要实验设备 | 第33页 |
2.3.2 主要检测设备 | 第33-34页 |
2.4 实验流程 | 第34-35页 |
2.4.1 原料粉末的计算及称量 | 第34页 |
2.4.2 原料粉末的球磨混合 | 第34页 |
2.4.3 干燥混合浆料 | 第34-35页 |
2.4.4 混合粉末的固相反应 | 第35页 |
2.5 性能测试 | 第35-36页 |
2.5.1 物相分析 | 第35页 |
2.5.2 颗粒度及形貌分析 | 第35-36页 |
2.5.3 差热分析 | 第36页 |
2.6 计算应用软件及相关理论 | 第36-40页 |
2.6.1 计算软件及模块 | 第36页 |
2.6.2 相关性质计算理论及方法 | 第36-40页 |
2.7 本章小结 | 第40-42页 |
第三章 IGZO粉末的制备 | 第42-54页 |
3.1 引言 | 第42页 |
3.2 实验结果与讨论 | 第42-52页 |
3.2.1 固相反应中烧结温度对IGZO粉末物相组成及颗粒度的影响 | 第42-45页 |
3.2.2 固相反应中烧结时间对IGZO粉末物相组成及颗粒度的影响 | 第45-47页 |
3.2.3 球料比对IGZO粉末颗粒度的影响 | 第47-48页 |
3.2.4 球磨时间对粉末物相组成及颗粒度的影响 | 第48-51页 |
3.2.5 分散剂对粉末物相组成及分散性的影响 | 第51-52页 |
3.3 本章小结 | 第52-54页 |
第四章 IGZO粉末合成机制的研究 | 第54-76页 |
4.1 引言 | 第54-55页 |
4.2 ZnGa_2O_4与InGaZnO_4相稳定性研究 | 第55-72页 |
4.2.1 模型的建立 | 第55-57页 |
4.2.2 计算参数 | 第57-60页 |
4.2.3 计算结果与讨论 | 第60-72页 |
4.2.3.1 生成焓和结合能 | 第60-62页 |
4.2.3.2 布居分析 | 第62-69页 |
4.2.3.3 电子结构 | 第69-72页 |
4.3 固相反应的反应路径讨论 | 第72-74页 |
4.4 本章小结 | 第74-76页 |
第五章 IGZO与ITO材料性能的理论计算及比较 | 第76-88页 |
5.1 引言 | 第76页 |
5.2 模型的建立 | 第76-78页 |
5.3 计算参数 | 第78-79页 |
5.4 计算结果与讨论 | 第79-85页 |
5.4.1 电子结构 | 第79-81页 |
5.4.2 介电函数 | 第81-83页 |
5.4.3 能量损失函数 | 第83-84页 |
5.4.4 反射系数 | 第84-85页 |
5.4.5 吸收系数 | 第85页 |
5.5 本章小结 | 第85-88页 |
第六章 结论 | 第88-90页 |
致谢 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-99页 |
附录 | 第99页 |