| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-41页 |
| 1.1 半导体自旋电子学 | 第8-9页 |
| 1.2 稀磁半导体概述 | 第9-29页 |
| 1.2.1 稀磁半导体的概念 | 第9-10页 |
| 1.2.2 稀磁半导体发展历史 | 第10-12页 |
| 1.2.3 稀磁半导体的性质 | 第12-16页 |
| 1.2.4 稀磁半导体的磁性理论解释 | 第16-22页 |
| 1.2.5 稀磁半导体的种类 | 第22-29页 |
| 1.3 SiC 磁半导体概述 | 第29-39页 |
| 1.3.1 SiC 的结构和性质 | 第29-31页 |
| 1.3.2 SiC 稀磁半导体研究现状分析 | 第31-37页 |
| 1.3.3 SiC 稀磁半导体目前存在问题 | 第37-39页 |
| 1.4 本课题的研究内容和意义 | 第39-41页 |
| 第二章 样品的制备和表征方法 | 第41-56页 |
| 2.1 样品的制备 | 第42-44页 |
| 2.1.1 超高真空磁控溅射镀膜设备 | 第42-43页 |
| 2.1.2 衬底基片处理过程 | 第43页 |
| 2.1.3 样品退火设备 | 第43-44页 |
| 2.2 样品的表征 | 第44-56页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 (SEM) | 第44-45页 |
| 2.2.2 能谱仪 (EDS) | 第45-47页 |
| 2.2.3 X-射线衍射（XRD） | 第47-48页 |
| 2.2.4 X-射线光电子能谱（XPS） | 第48-50页 |
| 2.2.5 X 射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第50-54页 |
| 2.2.6 超导量子干涉仪 (SQUID) | 第54页 |
| 2.2.7 电输运性质测试 | 第54-56页 |
| 第三章 Mn、Co 共掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第56-78页 |
| 3.1 实验过程 | 第56-57页 |
| 3.2 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的实验结果与讨论 | 第57-77页 |
| 3.2.1 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的含量（EDS） | 第57-58页 |
| 3.2.2 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的晶体结构（XRD） | 第58-60页 |
| 3.2.3 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的 X 射线光电子谱（XPS） | 第60-63页 |
| 3.2.4 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的近边精细结构（XAFS） | 第63-70页 |
| 3.2.5 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的电输运性能 | 第70-74页 |
| 3.2.6 Mn、Co 共掺杂 SiC 薄膜的磁性能 | 第74-77页 |
| 3.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 Mn、Al 共掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第78-97页 |
| 4.1 实验过程 | 第78-79页 |
| 4.2 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜的实验结果与讨论 | 第79-96页 |
| 4.2.1 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜的成分分析 (EDS) | 第79页 |
| 4.2.2 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜的结构分析（XRD） | 第79-81页 |
| 4.2.3 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜的 X 射线光电子谱（XPS） | 第81-85页 |
| 4.2.4 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜的近边精细结构（XAFS） | 第85-89页 |
| 4.2.5 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜电输运性能 | 第89-93页 |
| 4.2.6 Mn、Al 共掺杂 SiC 薄膜的磁性能 | 第93-96页 |
| 4.3 本章小结 | 第96-97页 |
| 第五章 Co、N 共掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第97-113页 |
| 5.1 实验过程 | 第97页 |
| 5.2 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的实验结果与讨论 | 第97-111页 |
| 5.2.1 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的成分分析（EDS） | 第97-98页 |
| 5.2.2 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的结构分析（XRD） | 第98-100页 |
| 5.2.3 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的 X 射线光电子谱（XPS） | 第100-103页 |
| 5.2.4 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的近边精细结构（XAFS） | 第103-104页 |
| 5.2.5 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的电输运性能 | 第104-108页 |
| 5.2.6 Co、N 共掺杂 SiC 薄膜的磁性能 | 第108-111页 |
| 5.3 本章小结 | 第111-113页 |
| 第六章 结论 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-133页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134页 |
