| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 有机电子学背景介绍 | 第10-11页 |
| 1.2 有机场效应晶体管 | 第11-13页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的基本参数 | 第12-13页 |
| 1.3 有机半导体材料 | 第13-21页 |
| 1.3.1 p-型有机半导体材料 | 第13-16页 |
| 1.3.2 n-型有机半导体材料 | 第16-19页 |
| 1.3.3 双极型有机半导体材料 | 第19-21页 |
| 1.4 非易失性有机场效应晶体管存储器件 | 第21-25页 |
| 1.4.1 有机场效应晶体管存储器的分类及工作原理 | 第21-24页 |
| 1.4.2 有机场效应晶体管存储器的主要参数 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的选题意义与思路 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 实验技术及测试仪器 | 第30-38页 |
| 2.1 有机半导体材料合成时所需的试剂和仪器 | 第30页 |
| 2.2 有机半导体材料的光电性质表征 | 第30页 |
| 2.3 有机场效应晶体管的制备及表征 | 第30-34页 |
| 2.3.1 硅片的清洗 | 第31页 |
| 2.3.2 二氧化硅表面的修饰 | 第31-32页 |
| 2.3.3 有机半导体层的制备 | 第32-34页 |
| 2.3.4 有机半导体层的性能表征 | 第34页 |
| 2.4 有机薄膜的表征 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 4,5,9,10-芘二酰亚胺(PyDI)半导体材料的设计、合成及其在场效应晶体管中的应用 | 第38-65页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 化合物的合成及基本光电性质 | 第39-53页 |
| 3.2.1 化合物合成路线 | 第39-45页 |
| 3.2.2 单晶结构解析 | 第45-49页 |
| 3.2.3 基本光电性能表征 | 第49-53页 |
| 3.3 有机场效应器件的制备 | 第53-61页 |
| 3.3.1 液滴固定结晶法(DPC法) | 第53-54页 |
| 3.3.2 基于PyDI分子的有机单晶场效应晶体管的制备 | 第54-57页 |
| 3.3.3 器件性能表征 | 第57-61页 |
| 3.4 理论计算分析 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 PyDI衍生物的共晶材料的设计、制备及性能的研究 | 第65-77页 |
| 4.1 引言 | 第65-69页 |
| 4.1.1 有机共晶材料的分类 | 第65-68页 |
| 4.1.2 有机共晶材料的制备 | 第68-69页 |
| 4.2 共晶场效应晶体管器件的制备 | 第69-71页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第69页 |
| 4.2.2 场效应晶体管的制备 | 第69-71页 |
| 4.3 单晶结构解析 | 第71-73页 |
| 4.4 光电性能表征 | 第73-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第五章 芘酰亚胺类化合物的设计、合成及其在非易失性场效应晶体管存储器中的应用 | 第77-106页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 材料的合成及制备 | 第78-83页 |
| 5.3 化合物的光电性能表征 | 第83-89页 |
| 5.3.1 基本光电性能的表征 | 第83-89页 |
| 5.4 场效应晶体管存储器件的制备及性能 | 第89-100页 |
| 5.4.1 器件的制备 | 第89-90页 |
| 5.4.2 薄膜形貌的表征 | 第90-93页 |
| 5.4.3 有机场效应晶体管存储器的测试 | 第93-100页 |
| 5.5 结果分析 | 第100-102页 |
| 5.5.1 分子偶极矩 | 第100-102页 |
| 5.6 本章小结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第六章 总结与展望 | 第106-108页 |
| 附录 | 第108-117页 |
| 在学期间的研究成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
