| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 显示技术的发展 | 第13-14页 |
| 1.2 液晶显示技术的发展 | 第14-16页 |
| 1.3 铟镓锌氧化物半导体的发展 | 第16页 |
| 1.4 研究意义 | 第16-19页 |
| 第二章 铟镓锌氧化物半导体的理论基础 | 第19-25页 |
| 2.1 氧化物半导体 | 第19-20页 |
| 2.2 铟镓锌氧化物半导体 | 第20-24页 |
| 2.2.1 材料性质 | 第21-22页 |
| 2.2.2 态密度 | 第22-23页 |
| 2.2.3 可靠性 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜晶体管 | 第24页 |
| 2.4 本章总结 | 第24-25页 |
| 第三章 铟镓锌氧化物半导体的仿真研究 | 第25-67页 |
| 3.1 仿真环境介绍 | 第25-26页 |
| 3.1.1 SYNOPSYS SENTAURUS TCAD介绍 | 第25-26页 |
| 3.1.2 MATHWORKS MATLAB介绍 | 第26页 |
| 3.2 柔性器件特性仿真 | 第26-34页 |
| 3.2.1 器件结构建模 | 第27-30页 |
| 3.2.2 参数定义 | 第30-32页 |
| 3.2.2.1 铟镓锌氧化物半导体材料定义 | 第30-31页 |
| 3.2.2.2 铟镓锌氧化物半导体态密度定义 | 第31-32页 |
| 3.2.3 仿真分析 | 第32-34页 |
| 3.2.3.1 网格构造 | 第32页 |
| 3.2.3.2 特性仿真 | 第32-34页 |
| 3.2.4 仿真研究总结 | 第34页 |
| 3.3 态密度仿真 | 第34-61页 |
| 3.3.1 器件结构建模 | 第34-35页 |
| 3.3.2 参数定义 | 第35-37页 |
| 3.3.2.1 铟镓锌氧化物半导体材料定义 | 第36页 |
| 3.3.2.2 其他材料定义 | 第36页 |
| 3.3.2.3 铟镓锌氧化物半导体态密度定义 | 第36-37页 |
| 3.3.3 仿真分析 | 第37-61页 |
| 3.3.3.1 第一部分：验证性仿真 | 第38-42页 |
| 3.3.3.2 第二部分：态密度仿真研究 | 第42-61页 |
| 3.3.3.2.1 受主带尾态密度研究 | 第42-46页 |
| 3.3.3.2.2 施主带尾态密度研究 | 第46-50页 |
| 3.3.3.2.3 受主深禁带态密度研究 | 第50-54页 |
| 3.3.3.2.4 施主氧空位态密度研究 | 第54-61页 |
| 3.3.4 仿真研究总结 | 第61页 |
| 3.4 光照特性仿真 | 第61-65页 |
| 3.4.1 器件结构建模 | 第61-62页 |
| 3.4.2 参数定义 | 第62-63页 |
| 3.4.2.1 铟镓锌氧化物半导体材料定义 | 第62页 |
| 3.4.2.2 其他材料定义 | 第62页 |
| 3.4.2.3 铟镓锌氧化物半导体态密度定义 | 第62-63页 |
| 3.4.3 仿真分析 | 第63-65页 |
| 3.4.4 仿真研究总结 | 第65页 |
| 3.5 本章总结 | 第65-67页 |
| 第四章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 4.1 总结 | 第67-68页 |
| 4.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |