| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 黑硅材料简介 | 第8-10页 |
| 1.2 黑硅材料制备方法简介 | 第10-14页 |
| 1.2.1 脉冲激光烧蚀法 | 第10-12页 |
| 1.2.2 离子注入法 | 第12页 |
| 1.2.3 湿法刻蚀法 | 第12-13页 |
| 1.2.4 反应离子刻蚀法 | 第13-14页 |
| 1.3 常规退火工艺简介 | 第14页 |
| 1.3.1 热退火 | 第14页 |
| 1.3.2 激光退火 | 第14页 |
| 1.4 黑硅材料相关研究进展概述 | 第14-18页 |
| 1.5 论文的目的、意义和主要内容 | 第18-19页 |
| 2 黑硅材料制备及性能测试设备 | 第19-33页 |
| 2.1 黑硅材料制备设备 | 第19-23页 |
| 2.1.1 Nd：YAG纳秒激光系统 | 第19-20页 |
| 2.1.2 三维电控平移台 | 第20页 |
| 2.1.3 六氟化硫气氛室 | 第20-21页 |
| 2.1.4 真空蒸发镀膜系统 | 第21-23页 |
| 2.1.5 程控退火炉 | 第23页 |
| 2.2 黑硅材料性能测试设备 | 第23-32页 |
| 2.2.1 结构和成分测试：扫描和透射电子显微镜 | 第23-27页 |
| 2.2.2 光学性能测试：紫外?可见?近红外分光光度计 | 第27-29页 |
| 2.2.3 电学性能测试：霍尔效应测试仪 | 第29-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 纳秒脉冲激光六氟化硫气氛下制备黑硅 | 第33-40页 |
| 3.1 制备工艺原理 | 第33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33-35页 |
| 3.3 性能测试分析 | 第35-39页 |
| 3.3.1 结构和成分特点 | 第35-37页 |
| 3.3.2 光学性能 | 第37-38页 |
| 3.3.3 电学性能 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 纳秒脉冲激光烧蚀硅-硫-硅多层膜制备黑硅 | 第40-48页 |
| 4.1 制备工艺 | 第40-41页 |
| 4.2 性能测试分析 | 第41-47页 |
| 4.2.1 结构和成分特点 | 第41-45页 |
| 4.2.2 光学性能 | 第45-46页 |
| 4.2.3 电学性能 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 热退火工艺对黑硅性能影响 | 第48-56页 |
| 5.1 热退火工艺 | 第48-49页 |
| 5.2 性能变化分析 | 第49-55页 |
| 5.2.1 形貌和杂质扩散特点 | 第49-51页 |
| 5.2.2 光学性能 | 第51-54页 |
| 5.2.3 电学性能 | 第54-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及科研成果 | 第64页 |