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多场耦合下定向凝固法制备多晶硅的数值模拟

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 引言第9页
    1.2 数值模拟技术在硅晶体生长中的的研究进展第9-11页
    1.3 磁场作用下晶体生长的国内外现状第11-15页
    1.4 本课题来源、研究的目的及主要内容第15-17页
        1.4.1 本课题来源第15页
        1.4.2 主要研究目的第15页
        1.4.3 主要研究内容第15-17页
    1.5 本章小结第17-18页
第2章 多晶硅定向凝固生长基本理论及多物理场系统第18-39页
    2.1 多晶硅定向凝固技术概述第18-23页
        2.1.1 传统的定向凝固技术第18-21页
        2.1.2 新型的定向凝固技术第21-23页
    2.2 定向凝固原理第23-24页
    2.3 定向凝固法制备多晶硅工艺参数第24-30页
        2.3.1 平衡分凝系数第24-26页
        2.3.2 温度梯度第26-27页
        2.3.3 凝固速率第27-29页
        2.3.4 G/R值第29-30页
    2.4 定向凝固特性第30-33页
        2.4.1 晶粒形态第30-31页
        2.4.2 固液界面形态第31-33页
    2.5 多物理场耦合系统第33-37页
        2.5.1 热场模式第33-35页
        2.5.2 流场模式第35-36页
        2.5.3 磁场模式第36-37页
    2.6 本章小结第37-39页
第3章 多晶硅定向凝固数值模拟方法第39-50页
    3.1 物理模型第39-40页
    3.2 数学模型第40-44页
        3.2.1 控制方程第40-43页
        3.2.2 边界条件第43-44页
    3.3 常见的数值求解方法第44-45页
        3.3.1 有限差分法第44-45页
        3.3.2 有限单元法第45页
        3.3.3 有限体积法第45页
    3.4 数值计算方法第45-46页
        3.4.1 坐标变换第45-46页
        3.4.2 插值函数第46页
    3.5 多物理场软件简介第46-47页
        3.5.1 软件操作流程第47页
    3.6 有限元分析过程第47-48页
    3.7 数值计算条件第48-49页
    3.8 本章小结第49-50页
第4章 多晶硅在热场与流场或应力场耦合作用下定向凝固的数值模拟第50-63页
    4.1 热场结构的改进第50-51页
    4.2 热场和流场数值模拟第51-55页
        4.2.1 热场分析第51-52页
        4.2.2 底部冷却能力的比较第52-53页
        4.2.3 流场分析第53-54页
        4.2.4 G/R值第54-55页
    4.3 热场与应力场耦合数值模拟第55-61页
        4.3.1 模拟工况分析以及几何参数第55-56页
        4.3.2 不同坩埚形状中多晶硅晶体内热场分布第56-57页
        4.3.3 不同坩埚形状对多晶硅晶体内热应力场的影响第57-58页
        4.3.4 坩埚倒角半径对晶体内热应力场的影响第58-60页
        4.3.5 温度梯度对晶体内热应力场的影响第60-61页
    4.4 本章小结第61-63页
第5章 多晶硅在热场、流场和磁场耦合作用下定向凝固的数值模拟第63-75页
    5.1 几何模型简化以及工况分析第63页
    5.2 定向凝固参数的变化第63-67页
        5.2.1 温度梯度的变化第64-65页
        5.2.2 流场的变化第65-66页
        5.2.3 固液界面形态的变化第66-67页
    5.3 晶体结晶阶段不同时期的流场的变化第67-70页
        5.3.1 多晶硅结晶阶段不同时期的流场分布第67-68页
        5.3.2 硅熔体平均流速的变化第68-69页
        5.3.3 磁场强度择优第69-70页
    5.4 磁场结构对多晶硅硅熔体流场的影响第70-73页
        5.4.1 不同磁场结构对硅熔体流速的影响第71-72页
        5.4.2 温度梯度的变化第72-73页
        5.4.3 凝固组织的变化第73页
    5.5 本章小结第73-75页
第6章 总结与展望第75-80页
    6.1 全文总结第75-78页
    6.2 研究展望第78-80页
致谢第80-83页
参考文献第83-87页
攻读学位期间的研究成果第87页

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