| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 氧化镓材料的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2.1 氧化镓材料的结构特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 氧化镓材料的电学与光学性质 | 第12页 |
| 1.3 氧化镓材料的应用 | 第12-15页 |
| 1.3.1 气敏传感器 | 第13-14页 |
| 1.3.2 紫外探测器 | 第14页 |
| 1.3.3 薄膜电致发光器件显示器件 | 第14-15页 |
| 1.3.4 深紫外透明导电薄膜 | 第15页 |
| 1.4 氧化镓材料的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4.1 本征氧化镓薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4.2 掺杂氧化镓薄膜的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 氧化镓薄膜制备方法及表征方法介绍 | 第19-26页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第19-20页 |
| 2.2 分子束外延设备简介 | 第20-21页 |
| 2.3 氧化镓薄膜材料的表征技术 | 第21-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第21-22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第22-23页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第23-24页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱（XPS） | 第24-26页 |
| 第三章 掺Sn氧化镓薄膜制备及欧姆接触研究 | 第26-37页 |
| 3.1 掺Sn氧化镓薄膜的制备与表征 | 第26-28页 |
| 3.1.1 掺Sn氧化镓薄膜的制备 | 第26页 |
| 3.1.2 掺Sn氧化镓薄膜的表征 | 第26-28页 |
| 3.2 氧化镓薄膜的欧姆接触研究 | 第28-35页 |
| 3.2.1 比接触电阻的测量方法 | 第28-30页 |
| 3.2.2 电极制备 | 第30页 |
| 3.2.3 退火温度对欧姆接触的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.4 退火时间对欧姆接触的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.5 氧化镓薄膜与电极界面特性分析 | 第34-35页 |
| 3.3 掺Sn氧化镓薄膜的电阻率 | 第35-36页 |
| 3.4 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 氧化镓光电导型紫外探测器研制 | 第37-49页 |
| 4.1 氧化镓单晶表面处理及特性表征研究 | 第37-41页 |
| 4.1.1 氧化镓基片表面处理工艺对表面形貌的影响 | 第37-40页 |
| 4.1.2 氧化镓单晶基片的结构和电学性质 | 第40-41页 |
| 4.2 氧化镓光电导型紫外探测器研制 | 第41-47页 |
| 4.2.1 紫外探测器的结构和工作原理 | 第41-43页 |
| 4.2.2 MSM结构紫外探测器的主要性能参数 | 第43-44页 |
| 4.2.3 紫外探测器的制备工艺 | 第44-45页 |
| 4.2.4 氧化镓紫外探测器的性能测试 | 第45-47页 |
| 4.3 小结 | 第47-49页 |
| 第五章 氧化镓肖特基二极管研制 | 第49-57页 |
| 5.1 肖特基二极管工作原理 | 第49-50页 |
| 5.2 肖特基二极管结构及制作工艺 | 第50页 |
| 5.2.1 肖特基二极管结构 | 第50页 |
| 5.2.2 肖特基二极管制作制作工艺 | 第50页 |
| 5.3 氧化镓肖特基二极管的性能与分析 | 第50-55页 |
| 5.4 小结 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-64页 |