半导体材料的锁相载流子辐射成像
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第12-14页 |
| 1.1.1 半导体检测技术的需求 | 第12-13页 |
| 1.1.2 重要物理参数——载流子输运参数 | 第13页 |
| 1.1.3 现有检测技术的分类及比较 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第14-26页 |
| 1.2.1 光电导衰减技术 | 第14-15页 |
| 1.2.2 锁相热波成像技术 | 第15-19页 |
| 1.2.3 光致发光技术 | 第19-21页 |
| 1.2.4 锁相载流子成像技术 | 第21-26页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第26-27页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第27-29页 |
| 第二章 光载流子辐射测量理论 | 第29-51页 |
| 2.1 硅片的载流子输运理论 | 第29-35页 |
| 2.1.1 载流子扩散方程 | 第29-33页 |
| 2.1.2 频域扩散场问题的解 | 第33-35页 |
| 2.2 硅太阳能电池的载流子输运理论 | 第35-38页 |
| 2.3 载流子辐射复合理论 | 第38-44页 |
| 2.3.1 零差PCR信号 | 第38-42页 |
| 2.3.1.1 零差幂函数模型 | 第39-40页 |
| 2.3.1.2 零差n-p product模型 | 第40-42页 |
| 2.3.2 外差PCR信号 | 第42-44页 |
| 2.3.2.1 外差幂函数模型 | 第43页 |
| 2.3.2.2 外差n-p product模型 | 第43-44页 |
| 2.4 等效载流子寿命模型 | 第44-50页 |
| 2.4.1 稳态等效载流子寿命 | 第45-48页 |
| 2.4.2 频域等效载流子寿命 | 第48-50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 PCR信号特性的仿真分析 | 第51-83页 |
| 3.1 载流子密度波的频响仿真 | 第51-68页 |
| 3.1.1 调制频率的影响 | 第52-54页 |
| 3.1.2 光学参数的影响 | 第54-57页 |
| 3.1.3 载流子输运参数的影响 | 第57-68页 |
| 3.1.3.1 体寿命的影响 | 第58-62页 |
| 3.1.3.2 扩散系数的影响 | 第62-65页 |
| 3.1.3.3 表面复合速率的影响 | 第65-68页 |
| 3.2 硅片的PCR信号频响仿真 | 第68-75页 |
| 3.2.1 零差PCR信号 | 第68-71页 |
| 3.2.2 外差PCR信号 | 第71-75页 |
| 3.3 硅太阳能电池的PCR信号频响仿真 | 第75-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第四章 实验及结果分析 | 第83-108页 |
| 4.1 实验系统及校正 | 第83-88页 |
| 4.1.1 基于单点探测器的PCR实验系统 | 第83-84页 |
| 4.1.2 基于相机的LIC实验系统 | 第84-86页 |
| 4.1.3 相机系统的校正 | 第86-88页 |
| 4.2 硅片的LIC成像 | 第88-101页 |
| 4.2.1 信号非线性特征 | 第88-92页 |
| 4.2.2 零差低频成像 | 第92-95页 |
| 4.2.3 外差高频成像 | 第95-101页 |
| 4.3 硅太阳能电池的LIC成像 | 第101-106页 |
| 4.3.1 定性成像分析 | 第101-103页 |
| 4.3.2 定量成像分析 | 第103-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106-108页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第108-110页 |
| 5.1 全文总结 | 第108-109页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-123页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第123-124页 |
