| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 黑硅材料的简介 | 第10-11页 |
| 1.2 黑硅的国内外研究现状 | 第11-17页 |
| 1.3 黑硅的应用 | 第17-19页 |
| 1.4 本文的研究意义和主要内容 | 第19-22页 |
| 第二章 实验原理及测试方法 | 第22-33页 |
| 2.1 黑硅材料的制备方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 湿法化学腐蚀制备黑硅 | 第22-23页 |
| 2.1.2 反应离子刻蚀制备黑硅 | 第23页 |
| 2.1.3 飞秒激光刻蚀制备黑硅 | 第23-24页 |
| 2.2 飞秒激光刻蚀的原理 | 第24-28页 |
| 2.2.1 飞秒激光与固体的相互作用 | 第24-25页 |
| 2.2.2 飞秒激光与硅的相互作用 | 第25-27页 |
| 2.2.3 背景气体SF6飞秒激光刻蚀制备黑硅原理 | 第27-28页 |
| 2.3 测试设备及原理 | 第28-32页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜测试原理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 积分球光谱测试原理 | 第29-30页 |
| 2.3.3 霍尔效应测试原理 | 第30-31页 |
| 2.3.4 光敏特性测试原理 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 黑硅的制备及退火工艺研究 | 第33-49页 |
| 3.1 样品准备及加工步骤 | 第33-40页 |
| 3.1.1 衬底材料的选择及清洗 | 第33-34页 |
| 3.1.2 掺杂膜层和硅膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.1.3 飞秒激光刻蚀制备黑硅 | 第35-38页 |
| 3.1.4 四角电极的制备 | 第38-40页 |
| 3.2 刻蚀条件的研究 | 第40-44页 |
| 3.2.1 飞秒激光重复频率对掺杂黑硅光学性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 飞秒激光重复频率对掺杂黑硅电学性能的影响 | 第41-44页 |
| 3.3 退火工艺的研究 | 第44-47页 |
| 3.3.1 退火气氛 | 第44页 |
| 3.3.2 退火温度 | 第44-46页 |
| 3.3.3 退火时间 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Ⅵ族元素掺杂黑硅的光学性能研究 | 第49-58页 |
| 4.1 样品的制备 | 第49-51页 |
| 4.2 掺杂黑硅的形貌表征 | 第51-53页 |
| 4.2.1 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火前的表面形貌 | 第51-52页 |
| 4.2.2 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火后的表面形貌 | 第52-53页 |
| 4.3 掺杂黑硅的吸收光谱 | 第53-56页 |
| 4.3.1 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火前的吸收光谱 | 第54-55页 |
| 4.3.2 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火后的吸收光谱 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 Ⅵ族元素掺杂黑硅的电学性能研究 | 第58-66页 |
| 5.1 n~+_n结的原理 | 第58-59页 |
| 5.2 掺杂黑硅霍尔效应测试 | 第59-61页 |
| 5.2.1 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火前的霍尔效应 | 第59-60页 |
| 5.2.2 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火后的霍尔效应 | 第60-61页 |
| 5.3 掺杂黑硅光敏特性研究 | 第61-65页 |
| 5.3.1 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火前的光敏特性 | 第61-63页 |
| 5.3.2 S、Se掺杂及(S、Se)共掺黑硅退火后的光敏特性 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-69页 |
| 6.1 总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74页 |
