| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.3 发展态势 | 第17页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 仿真计算的基本原理及方法 | 第19-30页 |
| 2.1 仿真计算的基本思路 | 第19-20页 |
| 2.2 第一性原理计算中的近似方法 | 第20-22页 |
| 2.2.1 非相对论近似 | 第20页 |
| 2.2.2 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第20-21页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第21-22页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第22-27页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第23-25页 |
| 2.3.3 赝势和基组函数 | 第25-27页 |
| 2.4 仿真计算的自洽求解方法 | 第27-28页 |
| 2.5 仿真计算的软件 | 第28-30页 |
| 第三章 Si/SiO_2界面结构特性及原子结构的建模方法研究 | 第30-41页 |
| 3.1 Si/SiO_2界面结构特性 | 第30-34页 |
| 3.1.1 Si的结构特性 | 第30-31页 |
| 3.1.2 SiO_2的结构特性 | 第31-32页 |
| 3.1.3 Si/SiO_2界面过渡区的结构特性 | 第32-34页 |
| 3.2 Si/SiO_2界面结构中的缺陷结构 | 第34-37页 |
| 3.2.1 从Si-O-Si键角度在Si/SiO_2界面结构中的缺陷 | 第34-35页 |
| 3.2.2 从氧原子的角度在Si/SiO_2界面结构中的缺陷 | 第35-36页 |
| 3.2.3 从硅原子的角度在Si/SiO_2界面结构中的缺陷 | 第36页 |
| 3.2.4 从界面角度在Si/SiO_2界面结构中的缺陷 | 第36-37页 |
| 3.3 Si/SiO_2界面原子结构模型的建模方法研究 | 第37-41页 |
| 第四章 Si/SiO_2界面原子结构模型参数优化及仿真计算 | 第41-64页 |
| 4.1 仿真计算中的参数优化及选取 | 第42-48页 |
| 4.1.1 交换相关能的近似参数 | 第43-45页 |
| 4.1.2 截断能参数的优化 | 第45-46页 |
| 4.1.3 倒易空间的K点参数的优化 | 第46页 |
| 4.1.4 几何结构优化参数的选取 | 第46-48页 |
| 4.2 Si/SiO_2界面过渡区的建模及结构特性研究 | 第48-51页 |
| 4.3 Si/SiO_2界面特性及缺陷的影响研究 | 第51-64页 |
| 4.3.1 不同界面缺陷情形下的Si/SiO_2界面的原子结构模型 | 第51-56页 |
| 4.3.2 Si/SiO_2界面结构的介电特性及缺陷的影响研究 | 第56-59页 |
| 4.3.3 Si/SiO_2界面结构的光学特性及缺陷的影响研究 | 第59-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |
