| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 窄禁带红外探测器概述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 光电探测器的基本类型 | 第11-13页 |
| 1.2.2 常见的窄带隙半导体材料 | 第13-14页 |
| 1.2.3 窄禁带半导体红外探测器的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 石墨烯/PbSe异质结的提出及综述 | 第15-21页 |
| 1.3.1 异质结的基本特性及应用 | 第15-16页 |
| 1.3.2 PbSe的性质及研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3.3 石墨烯的性质及研究现状 | 第19-21页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验原理和装置介绍 | 第23-32页 |
| 2.1 PbSe薄膜的常用制备方法 | 第23-26页 |
| 2.1.1 分子束外延法简介 | 第23-25页 |
| 2.1.2 化学浴沉积法简介 | 第25-26页 |
| 2.2 石墨烯的常用制备方法 | 第26-27页 |
| 2.3 PbSe薄膜、石墨烯的表征和测试方法简介 | 第27-32页 |
| 第三章 PbSe薄膜的制备和性质研究 | 第32-38页 |
| 3.1 PbSe薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.2 优化工艺条件下制备的PbSe薄膜的表征分析 | 第33-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 石墨烯的转移、表征及其晶体管的制备 | 第38-46页 |
| 4.1 石墨烯的转移 | 第38-40页 |
| 4.2 硅基底上石墨烯的表征 | 第40-41页 |
| 4.2.1 光学显微镜初步验证 | 第40页 |
| 4.2.2 石墨烯的拉曼光谱 | 第40-41页 |
| 4.3 石墨烯晶体管的制作 | 第41-42页 |
| 4.4 石墨烯晶体管性能的初步测试 | 第42-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 石墨烯/PbSe异质结的制备和表征 | 第46-55页 |
| 5.1 光敏探测器的主要性能参数 | 第47-48页 |
| 5.2 石墨烯/PbSe异质结的制备 | 第48-50页 |
| 5.3 异质结的光学及电学特性表征 | 第50-53页 |
| 5.4 异质结光敏机制分析 | 第53-54页 |
| 5.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 CBD法制备PbSe薄膜及石墨烯/PbSe复合材料的探索 | 第55-63页 |
| 6.1 实验所需试剂 | 第55-56页 |
| 6.2 实验过程 | 第56页 |
| 6.3 温度对薄膜质量的影响 | 第56-59页 |
| 6.4 石墨烯/PbSe复合物制备 | 第59-61页 |
| 6.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第七章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70页 |