| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 纳米材料 | 第10页 |
| 1.2 纳米晶的基本概念 | 第10-13页 |
| 1.2.1 表面效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| 1.2.3 量子限域效应和介电限域效应 | 第13页 |
| 1.2.4 宏观量子隧道效应 | 第13页 |
| 1.3 常规CdSe纳米晶和窄尺寸分布的CdSe纳米晶的制备 | 第13-16页 |
| 1.3.1 常规CdSe纳米晶的制备 | 第13-15页 |
| 1.3.2 窄尺寸分布的CdSe纳米晶的制备 | 第15-16页 |
| 1.4 纳米晶超结构的制备及应用 | 第16-26页 |
| 1.4.1 超结构的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.4.2 超结构的应用 | 第21-26页 |
| 1.5 课题的提出和主要研究内容 | 第26-28页 |
| 1.5.1 课题选择的目的和意义 | 第26页 |
| 1.5.2 本课题的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 窄尺寸分布的CdSe纳米晶的研究 | 第28-35页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 实验试剂及仪器设备 | 第28-29页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第28-29页 |
| 2.2.2 实验仪器设备 | 第29页 |
| 2.3 实验部分 | 第29页 |
| 2.4 表征与测试 | 第29-30页 |
| 2.4.1 荧光发射光谱（PL）表征 | 第29-30页 |
| 2.4.2 紫外-可见光吸收光谱（UV）表征 | 第30页 |
| 2.4.3 场发射透射电子显微镜（TEM）表征 | 第30页 |
| 2.4.4 X射线能谱（XPS）表征 | 第30页 |
| 2.5 结果与讨论 | 第30-34页 |
| 2.5.1 荧光发射光谱及紫外-可见吸收光谱分析 | 第30-32页 |
| 2.5.2 场发射透射电子显微镜的表征 | 第32-33页 |
| 2.5.3 X射线能谱（XPS）表征 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 窄尺寸分布的CdSe纳米晶超结构及其光伏性能的研究 | 第35-48页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验试剂及仪器设备 | 第35-37页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第35-36页 |
| 3.2.2 实验仪器设备 | 第36-37页 |
| 3.3 实验部分 | 第37页 |
| 3.3.1 窄尺寸分布的CdSe纳米晶超结构的制备 | 第37页 |
| 3.3.2 碗状超结构形成机理的研究 | 第37页 |
| 3.3.3 CdSe纳米晶-P3HT、CdSe超结构-P3HT复合薄膜光开关的制备 | 第37页 |
| 3.4 表征与测试 | 第37-39页 |
| 3.4.1 荧光发射光谱表征 | 第37-38页 |
| 3.4.2 紫外-可见光吸收光谱表征 | 第38页 |
| 3.4.3 场发射透射电子显微镜表征 | 第38页 |
| 3.4.4 荧光显微镜表征 | 第38页 |
| 3.4.5 X射线衍射（XRD）表征 | 第38页 |
| 3.4.6 CdSe纳米晶/P3HT、CdSe超结构/P3HT复合薄膜光开关的光电流特性研究 | 第38-39页 |
| 3.5 结果与讨论 | 第39-47页 |
| 3.5.1 荧光发射光谱及紫外-可见光吸收光谱分析 | 第39-40页 |
| 3.5.2 场发射透射电子显微镜分析 | 第40-41页 |
| 3.5.3 场发射扫描电子显微镜分析 | 第41页 |
| 3.5.4 荧光显微镜表征 | 第41-42页 |
| 3.5.5 X射线衍射分析 | 第42-43页 |
| 3.5.6 碗状CdSe超结构形成机理的研究 | 第43-45页 |
| 3.5.7 CdSe纳米晶/P3HT、CdSe超结构/P3HT复合薄膜光开关的测试 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 全文结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-57页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
