黑硅材料的制备及器件研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 黑硅的发现 | 第10-11页 |
| 1.2 黑硅的性能特点 | 第11-18页 |
| 1.2.1 光吸收特性 | 第11-13页 |
| 1.2.2 发光特性 | 第13-14页 |
| 1.2.3 光电响应特性 | 第14-16页 |
| 1.2.4 表面疏水特性 | 第16-18页 |
| 1.3 黑硅的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 第二章 黑硅制备的工艺原理 | 第21-28页 |
| 2.1 湿法刻蚀 | 第21-23页 |
| 2.1.1 酸法刻蚀及其原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 碱法刻蚀及其原理 | 第22-23页 |
| 2.2 电化学腐蚀 | 第23-24页 |
| 2.3 反应离子刻蚀 | 第24-26页 |
| 2.4 飞秒激光照射刻蚀 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 黑硅的制备 | 第28-43页 |
| 3.1 酸法刻蚀 | 第29-34页 |
| 3.1.1 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.1.2 表征及测试 | 第30-34页 |
| 3.2 碱法刻蚀 | 第34-37页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第34-36页 |
| 3.2.2 表征及测试 | 第36-37页 |
| 3.3 电化学腐蚀 | 第37-39页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第37-38页 |
| 3.3.2 表征及测试 | 第38-39页 |
| 3.4 飞秒激光照射刻蚀 | 第39-41页 |
| 3.4.1 实验过程 | 第39-40页 |
| 3.4.2 表征及测试 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 微纳双重结构黑硅的制备 | 第43-57页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 碱法刻蚀与酸法刻蚀 | 第43-47页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第43-45页 |
| 4.2.2 表征测试 | 第45-47页 |
| 4.3 电化学腐蚀与酸法刻蚀 | 第47-53页 |
| 4.3.1 实验过程 | 第47-48页 |
| 4.3.2 表征测试 | 第48-53页 |
| 4.4 飞秒激光照射刻蚀与酸法刻蚀 | 第53-55页 |
| 4.4.1 实验过程 | 第53页 |
| 4.4.2 表征测试 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 黑硅光电探测器制备及性能研究 | 第57-67页 |
| 5.1 光电探测器工作原理 | 第57-59页 |
| 5.1.1 MSM光电探测器工作原理 | 第57-58页 |
| 5.1.2 N+/N光电探测器工作原理 | 第58-59页 |
| 5.2 黑硅光电器件的制备 | 第59-62页 |
| 5.2.1 MSM黑硅光电器件制备 | 第60-61页 |
| 5.2.2 N+/N黑硅光电器件制备 | 第61-62页 |
| 5.3 黑硅光电器件的测试 | 第62-66页 |
| 5.3.1 MSM器件I-V特性曲线 | 第62-64页 |
| 5.3.2 N+/N器件I-V特性曲线 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
